[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明涉及一种量子点发光二极管及其制备方法，包括由空穴传输层I和空穴传输层II依次设置组成的双空穴传输层，空穴传输层I采用的材料为第一空穴传输材料，第一空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第一化合物，可通过加热交联；空穴传输层II采用的材料为第二空穴传输材料，第二空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第二化合物，可通过加热交联，第一、第二空穴传输材料具有不同HOMO能级。该双层空穴传输层各层均具有良好的耐溶剂性，从而避免印刷工艺中膜层之间的侵蚀破坏作用，还具有梯度能级，有效解决器件中空穴注入量子点发光层效率低下的问题，大大提升了器件的效率，同时降低了器件的开启电压。

技术领域

本发明属于光电材料技术领域，具有涉及一种量子点电致发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(QLEDs)因其拥有窄的发射光谱、可控的发射波长、较高的量子产率、良好的稳定性、可溶液加工、成本低廉等特点而受到广泛关注。到目前为止，QLED已经达到了超过20％的外部量子效率(EQE)，但均是通过旋涂方法制备的，难以实现图案化和像素显示面板中制备红-绿-蓝(RGB)全彩的量子点层，限制了其在全彩显示领域的应用。

喷墨打印技术是解决上述问题的有效途径。然而，对于印刷器件来说，连续的多层沉积还是具有挑战性的，这是因为第二层的沉积可能对第一层的膜层有破坏作用。已有多项研究报道了喷墨打印QLED，但器件的性能并不理想，在喷墨打印技术中，寻找能实现无咖啡环图案膜层的合适的正交溶剂具有极大的挑战性。另一方面，量子点器件中空穴的注入/传输效率远低于电子的注入/传输效率，主要由于传统的作为空穴传输材料的半导体聚合物的空穴迁移率较低，且从空穴注入层(HOMO～-5.2eV)到量子点层(VB低于-6.5eV)的注入势垒较高(超过1eV)，这就限制了空穴传输层向量子点层注入空穴，造成发光层的电子空穴注入不平衡。

为了解决上述问题，主要致力于提高空穴注入和传输能力，同时解决制备工艺中溶剂侵蚀问题。现有报道中虽然报道过双层空穴传输层量子点器件，但是仅仅只能实现于旋涂器件中，不具有好的耐溶剂特性。如中国专利CN110797475A公开的一种制备双层薄膜的方法和量子点发光二极管，该量子点发光二极管的双层空穴传输材料采用的是聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]和聚乙烯基咔唑，然而由于聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]和聚乙烯基咔唑自身的溶解性，使得制备多层器件结构时耐溶剂性差，且只能实现于旋涂器件中。

另外，目前对于可以使用的深HOMO能级的材料很少。因此目前还没有研发出既具有耐溶剂的空穴传输材料，又可以实现双层具有梯度HONO能级的空穴传输层这两者条件的兼得。因此需要进一步改进和发展现有技术。

发明内容

为解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种具有耐溶剂双空穴传输层的量子点发光二极管，有效地解决量子点器件中空穴注入/传输制约器件性能，以及印刷量子点器件工艺中的层间互溶的问题。

为达到上述目的，本发明所采用的技术方案为：

一种量子点发光二极管，包括由空穴传输层I和空穴传输层II依次设置组成的双空穴传输层，所述空穴传输层I采用材料的能级不同于所述空穴传输层II采用材料的能级，所述空穴传输层I采用的材料为第一空穴传输材料，所述第一空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第一化合物，可通过加热交联；所述空穴传输层II采用的材料为第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第二化合物，可通过加热交联。

本发明中，所述第一空穴传输材料、第二空穴传输材料分别采用一种或一种以上具有不同功能的空穴传输材料。不同HOMO能级的双空穴传输层有利于空穴阶梯式从ITO注入到空穴传输层I，再注入到空穴传输层II，再注入到QD层，减小注入势垒，提高器件效率与寿命。