[发明专利]显示基板及显示装置在审
| 申请号： | 202010300435.3 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111477660A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 贾文斌 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李迎亚;姜春咸 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 显示装置 | ||
1.一种显示基板，具有像素区和围绕所述像素区的虚拟像素区，其特征在于，包括：基底、及位于所述基底上的像素限定层；所述像素限定层包括：设置于所述像素区的多个第一像素限定结构、及设置于所述虚拟像素区的多个第二像素限定结构；
所述第一像素限定结构包括：第一像素挡墙和由所述第一像素挡墙限定形成的第一容纳部；所述第二像素限定结构包括：第二像素挡墙和由所述第二像素挡墙限定形成的第二容纳部；
所述第二容纳部的容积大于所述第一容纳部的容积。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二像素挡墙的坡角度与所述第一像素挡墙的坡角度相等，且所述第二像素挡墙的高度大于所述第一像素挡墙的高度。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二像素挡墙的高度与所述第一像素挡墙的高度相等，且所述第二像素挡墙的坡角度小于所述第一像素挡墙的坡角度。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二像素挡墙的高度大于所述第一像素挡墙的高度，且所述第二像素挡墙的坡角度小于所述第一像素挡墙的坡角度。
5.根据权利要求2-4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一容纳部靠近所述基底一侧的面积与所述第二容纳部靠近所述基底一侧的面积相等。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一容纳部和所述第二容纳部在垂直于所述基底的方向上的截面形状包括倒梯形。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，相邻的所述第一像素挡墙和所述第二像素挡墙为一体成型结构。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素挡墙的材料与所述第二像素挡墙的材料相同。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素挡墙的材料和所述第二像素挡墙的材料不同。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
