[发明专利]显示基板及显示装置在审
申请号: | 202010300435.3 | 申请日: | 2020-04-16 |
公开(公告)号: | CN111477660A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 贾文斌 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板及显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的显示基板中的有机功能层厚度不均匀的问题。本发明的一种显示基板,具有像素区和围绕像素区的虚拟像素区,包括:基底、及位于基底上的像素限定层;像素限定层包括:设置于像素区的多个第一像素限定结构、及设置于虚拟像素区的多个第二像素限定结构;第一像素限定结构包括:第一像素挡墙和由第一像素挡墙限定形成的第一容纳部;第二像素限定结构包括:第二像素挡墙和由第二像素挡墙限定形成的第二容纳部;第二容纳部的容积大于第一容纳部的容积。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示以其高亮度、高信赖性等优势,在显示领域中得到了有广泛地应用。OLED的成膜方式主要有蒸镀制程和溶液制程。目前蒸镀制程技术已经应用于量产中,但是该技术材料昂贵以及材料利用率较低,加大产品开发的成本。溶液制程技术中OLED成膜方式主要有喷墨打印、喷嘴涂覆、旋涂、丝网印刷等。
在采用喷墨打印方式形成OLED中的有机功能层时,墨水需要通过真空干燥(Vacuum Dry,VCD)工艺进行干燥,但VCD工艺并不能保证整个显示基板的干燥均匀性,往往存在边缘效应。传统技术中一般会在像素区周围均匀设置一圈虚拟像素区,可作为干燥缓冲区,提高像素区的成膜均匀性。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:目前传统虚拟像素区所承载的溶剂量有限,无法完全消除边缘效应。如果直接扩大虚拟像素区的区域,容易增大显示基板的边框,无法实现窄边框显示,影响用户使用体验。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示基板及显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板,具有像素区和围绕所述像素区的虚拟像素区,包括:基底、及位于所述基底上的像素限定层;所述像素限定层包括:设置于所述像素区的多个第一像素限定结构、及设置于所述虚拟像素区的多个第二像素限定结构;
所述第一像素限定结构包括:第一像素挡墙和由所述第一像素挡墙限定形成的第一容纳部;所述第二像素限定结构包括:第二像素挡墙和由所述第二像素挡墙限定形成的第二容纳部;
所述第二容纳部的容积大于所述第一容纳部的容积。
可选地,所述第二像素挡墙的坡角度与所述第一像素挡墙的坡角度相等,且所述第二像素挡墙的高度大于所述第一像素挡墙的高度。
可选地,所述第二像素挡墙的高度与所述第一像素挡墙的高度相等,且所述第二像素挡墙的坡角度小于所述第一像素挡墙的坡角度。
可选地,所述第二像素挡墙的高度大于所述第一像素挡墙的高度,且所述第二像素挡墙的坡角度小于所述第一像素挡墙的坡角度。
可选地,其特征在于,所述第一容纳部靠近所述基底一侧的面积与所述第二容纳部靠近所述基底一侧的面积相等。
可选地,所述第一容纳部和所述第二容纳部在垂直于所述基底的方向上的截面形状包括倒梯形。
可选地,相邻的所述第一像素挡墙和所述第二像素挡墙为一体成型结构。
可选地,所述第一像素挡墙的材料与所述第二像素挡墙的材料相同。
可选地,所述第一像素挡墙的材料和所述第二像素挡墙的材料不同。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置,包括如上述提供的显示基板。
附图说明
图1为现有技术中一种显示基板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的