[发明专利]高密度集成多波束瓦片式组件

权利要求书

1.高密度集成多波束瓦片式组件，其特征在于，包括：

印制转接板；以及

多通道多波束功能模块芯片，设有多个，多个所述多通道多波束功能模块芯片表贴于所述印制转接板上；

所述多通道多波束功能模块芯片包括：

信号放大功能层，与所述印制转接板电气连接，并用于对组件通信信息进行幅度放大；

模拟移相衰减层，用于组件通信信息相位变化和幅度衰减；以及

衔接层，设于所述信号放大功能层和所述模拟移相衰减层之间，并分别与所述信号放大功能层和所述模拟移相衰减层电气连接，用于所述信号放大功能层和所述模拟移相衰减层之间的信号传输、供电与控制；

所述印制转接板包括：

基板；

多波束合成网络，设于所述基板上，包括多个相互独立的波束网络，每个波束网络分别与所述信号放大功能层电气连接，并用于对该网络连接的射频通道信号进行分路或合路；

波束控制电路，设于所述基板上，所述波束控制电路与所述信号放大功能层电气连接，并用于根据系统指令对多波束组件中每一通道幅度及相位发送控制信号，实现组件的每一通道幅度和相位的变化；以及

供电电路，设于所述基板上，用于供电衔接。

2.如权利要求1所述的高密度集成多波束瓦片式组件，其特征在于，所述信号放大功能层的非芯片面上表贴有用于与所述印制转接板电气连接的焊盘。

3.如权利要求1所述的高密度集成多波束瓦片式组件，其特征在于，所述衔接层为方阵型焊点结构。

4.如权利要求3所述的高密度集成多波束瓦片式组件，其特征在于，所述信号放大功能层上焊接有第一金属屏蔽盖板，所述模拟移相衰减层上焊接有第二金属屏蔽盖板，所述信号放大功能层和所述模拟移相衰减层之间填充有低损耗密封介质。

5.如权利要求1所述的高密度集成多波束瓦片式组件，其特征在于，所述多波束合成网络设于所述基板内部，所述波束控制电路表贴于所述基板上，所述供电电路表贴于所述基板上。

6.如权利要求1所述的高密度集成多波束瓦片式组件，其特征在于，所述基板上还设有射频连接器，所述射频连接器分布于所述多通道多波束功能模块芯片外周，所述射频连接器与所述信号放大功能层电气连接，并用于与信号收发模块相连以完成所述高密度集成多波束瓦片式组件的射频信号的传入与传出。

7.如权利要求6所述的高密度集成多波束瓦片式组件，其特征在于，所述射频连接器呈矩形阵列状分布于所述多通道多波束功能模块芯片外周。

8.如权利要求6所述的高密度集成多波束瓦片式组件，其特征在于，所述射频连接器包括超小型推入式射频同轴连接器。

9.如权利要求1-8中任意一项所述的高密度集成多波束瓦片式组件，其特征在于，多个所述多通道多波束功能模块芯片呈矩形阵列式的设于所述印制转接板上。

10.如权利要求1-8中任意一项所述的高密度集成多波束瓦片式组件，其特征在于，所述信号放大功能层和所述模拟移相衰减层均为多层陶瓷介质基板结构。