[发明专利]光电探测器与显示基板在审
| 申请号： | 202010301371.9 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111403541A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 杜建华;曲峰;罗超;李超;强朝辉;王治;关峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张相钦 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 显示 | ||
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括第一电极、吸收层、缓冲层及第二电极，所述缓冲层设置于所述吸收层与所述第二电极之间，所述吸收层的材料包括铜铟镓硒，所述吸收层用于吸收光并产生电信号；
所述吸收层与所述缓冲层的晶格失配度不大于25％。
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述吸收层与所述缓冲层的晶格失配度不大于5％。
3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化镓。
4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括设置于所述缓冲层和所述第二电极之间的阻挡层，所述阻挡层用于在形成第二电极时对所述缓冲层进行保护。
5.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述阻挡层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述阻挡层的厚度不大于10nm。
7.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括保护电极，所述保护电极形成于所述第二电极上且与所述第二电极电性连接，所述保护电极在所述吸收层上的正投影位于所述第二电极在所述吸收层上的正投影内。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述吸收层形成于所述第一电极上，所述缓冲层形成于所述吸收层上，所述第二电极形成于所述缓冲层上。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极同层设置，所述缓冲层形成于所述第二电极上，所述吸收层形成于所述第一电极与所述缓冲层上。
10.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括如权利要求1至9中任一项所述的光电探测器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010301371.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
