[发明专利]光电探测器与显示基板

说明书

本发明提供一种光电探测器与显示基板。所述光电探测器包括第一电极、吸收层、缓冲层及第二电极，所述缓冲层设置于所述吸收层与所述第二电极之间，所述吸收层的材料包括铜铟镓硒，所述吸收层用于吸收光并产生电信号。所述吸收层与所述缓冲层的晶格失配度不大于25％。采用铜铟镓硒作为吸收层的材料，有利于提高光电转换效率并增大可吸收光的光谱范围；同时，由于吸收层与缓冲层的晶格失配度较小，使得缓冲层与吸收层晶格匹配，有利于降低缓冲层与所述吸收层的界面缺陷态，降低暗电流，提高光电探测器的信噪比，进而提高检测性能。

技术领域

本发明涉及光电转换领域，尤其涉及一种光电探测器与显示基板。

背景技术

光电探测器在工业、国防、医学以及日常生活中都有着广泛的应用。常见的光电探测器包括PIN光电探测器、PN光电探测器及MSM(Metal-Semiconductor-Metal，金属-半导体-金属)光电探测器等。以PN光电探测器为例，现有的PN光电探测器的吸收层的光电转换效率较低，且可吸收光的光谱范围也较小，因而在一定程度上限制了PN光电探测器的应用范围。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种光电探测器，所述光电探测器包括第一电极、吸收层、缓冲层及第二电极，所述吸收层的材料包括铜铟镓硒，所述吸收层用于吸收光并产生电信号；所述吸收层与所述缓冲层的晶格失配度不大于25％。

进一步的，所述吸收层与所述缓冲层的晶格失配度不大于5％。

进一步的，所述缓冲层的材料包括氧化镓。

进一步的，所述光电探测器包括设置于所述缓冲层和所述第二电极之间的阻挡层，所述阻挡层用于在形成第二电极时对所述缓冲层进行保护。

进一步的，所述阻挡层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。

进一步的，所述阻挡层的厚度不大于10nm，且所述阻挡层的厚度小于所述第一电极、吸收层、缓冲层、第二电极中的任一膜层的厚度。

进一步的，所述光电探测器包括保护电极，所述保护电极形成于所述第二电极上且与所述第二电极电性连接，所述保护电极在所述吸收层上的正投影位于所述第二电极在所述吸收层上的正投影内。

进一步的，所述吸收层形成于所述第一电极上，所述缓冲层形成于所述吸收层上，所述第二电极形成于所述缓冲层上。

进一步的，所述缓冲层形成于所述第二电极上，所述吸收层形成于所述第一电极及缓冲层上。

另一方面，本发明还提供一种显示基板，所述显示基板包括如前所述的光电探测器。

本发明中，采用铜铟镓硒作为吸收层的材料，有利于提高光电转换效率并增大可吸收光的光谱范围；同时，由于吸收层与缓冲层的晶格失配度较小，使得缓冲层与吸收层晶格匹配，有利于降低缓冲层与所述吸收层的界面缺陷态，降低暗电流，提高光电探测器的信噪比，进而提高检测性能。

附图说明

图1是一种太阳能电池的局部结构示意图。

图2是本发明第一实施方式的光电探测器的局部剖视示意图。

图3是硫化镉退火前后的透射光谱，其中横坐标表示光的波长，纵坐标表示透射率。

图4是在不同温度的基底上制备氧化镓薄膜的透射光谱，其中横坐标表示光的波长，纵坐标表示透射率。

图5是图2所示的光电探测器偏压下的光电流的测试图，其中横坐标表示偏压(Bias Voltage)，纵坐标表示暗电流(Current)。

图6是本发明第二实施方式的光电探测器的局部剖视示意图。

图7是本发明第三实施方式的光电探测器的局部剖视示意图。