[发明专利]透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法

权利要求书

1.一种透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法，其特征在于，包含：提供基于聚焦离子束系统获得置于一基底之上的电子元件样品；

进行一预减薄处理，将所述电子元件样品减薄至一第一厚度，所述第一厚度为1.3至1.7微米；

第一减薄处理，以一倾转角度和以一第一光阑孔将所述电子元件样品减薄至一第二厚度，其中所述倾转角度为±(0.5度至1.5度)，所述第二厚度为700至900纳米；

第二减薄处理，以所述倾转角度和以一第二光阑孔将所述电子元件样品减薄至一第三厚度，所述第三厚度为250至350纳米；以及

第三减薄处理，以所述倾转角度和以一第三光阑孔将所述电子元件样品减薄至一第四厚度，所述第四厚度小于或等于100纳米；

其中，所述第一光阑孔大于所述第二光阑孔，所述第二光阑孔大于所述第三光阑孔。

2.如权利要求1所述之透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法，其特征在于，其中所述第一光阑孔为150微米，所述第二光阑孔为80微米，所述第三光阑孔为30微米。

3.如权利要求1所述之透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法，其特征在于，其中所述第一减薄处理、所述第二减薄处理、和所述第三减薄处理的一加速电压为20至40KeV。

4.如权利要求1所述之透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法，其特征在于，在所述第三第三减薄处理之后，还包含一低电压清洁处理，以加速电压2KeV至5KeV进行。

5.如权利要求4所述之透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法，其特征在于，其中所述低电压清洁处理的光阑孔为80微米，其中电子元件样品的倾转角度为±(5度至12)度。

6.如权利要求1所述之透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法，其特征在于，其中所述预减薄处理的光阑孔为150微米。

7.如权利要求1所述之透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法，其特征在于，其中所述预减薄处理包含：

不倾转所述电子元件样品的角度，对所述电子元件样品的两面进行减薄。

8.如权利要求1所述之透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法，其特征在于，其中所述预减薄处理的离子束停留时间为3微秒至10微秒。

9.如权利要求1所述之透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法，其特征在于，其中所述第一减薄处理、所述第二减薄处理、和所述第三减薄处理的离子束停留时间为3微秒至10微秒。

10.如权利要求1所述之透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法，其特征在于，其中所述电子元件样品具有一待分析区域，其具有一宽度，

当所述待分析区域的所述宽度小于3微米，所述倾转角度为0.5度至0.6度；

当所述待分析区域的所述宽度为3至5微米，所述倾转角度为0.7度至0.9度；

当所述待分析区域的所述宽度为5至8微米，所述倾转角度为0.9度至1.1度；

当所述待分析区域的所述宽度为8至12微米，所述倾转角度为1.2度至1.3度；

当所述待分析区域的所述宽度为12至15微米，所述倾转角度为1.4度至1.5度。