[发明专利]一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移方法及转移装置

权利要求书

1.一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移方法，其特征在于，包括下述步骤：

转移准备：液晶光闸掩膜基板设置在透光基板的上方，透光基板的下表面涂覆黏合层，待转移的晶片粘附在黏合层的下表面；

选择对齐：移动液晶光闸掩膜基板和透光基板，对齐透光基板的待转移的晶片的位置与接受基板的待接收的晶片的位置；

导通释放：开启激光，导通液晶光闸掩膜基板的至少一对电极，与导通的电极相对的液晶光闸掩膜基板允许透过激光，激光作用在黏合层使黏合层的粘附作用降低，待转移的晶片脱落至接受基板的待接收的晶片的位置；

持续释放：释放透光基板的晶片，移动液晶光闸掩膜基板和透光基板，对齐透光基板的待释放的晶片的位置与下一个待接收的晶片的位置。

2.根据权利要求1所述的一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移方法，其特征在于，所述激光的波长为400-600nm，所述激光的功率为3-6W，所述激光与所述黏合层的作用时间为1-10s。

3.根据权利要求1所述的一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移方法，其特征在于，所述黏合层涂覆的厚度为5-50μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移方法，其特征在于，在所述电极的两端导入电压，所述电压的大小为30-50V。

5.一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移装置，其特征在于，包括液晶光闸掩膜基板、透光基板、黏合层以及接受基板；

所述液晶光闸掩膜基板设置在所述透光基板的上方，所述黏合层设置在所述透光基板的下表面，待转移的晶片设置在所述黏合层的下表面；所述接受基板设置在待转移的晶片的下方；所述透光基板的透射率高于所述黏合层的透射率。

6.根据权利要求5所述的一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移装置，其特征在于，所述液晶光闸掩膜基板包括固定架、液晶掩膜版单元、电极以及绝缘层；

所述液晶掩膜版单元设置有若干个，且均匀分布在所述固定架内，所述绝缘层设置在相邻的两个所述液晶掩膜版单元之间；所述电极设置有若干个，每两个所述电极一一配合且设置在同一所述液晶掩膜版单元的上表面。

7.根据权利要求5所述的一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移装置，其特征在于，所述液晶掩膜版单元呈阵列分布，待转移的晶片呈阵列分布且与所述液晶掩膜版单元一一相对。

8.根据权利要求5所述的一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移装置，其特征在于，所述接受基板的上表面分布有若干连接凸点，待转移的晶片的下表面设置有晶片焊盘，所述连接凸点与所述晶片焊盘一一对应。

9.根据权利要求5所述的一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移装置，其特征在于，还包括上位机、下位机、列驱动器和行驱动器，所述上位机与所述下位机电连接，所述列驱动器和所述行驱动器均与所述下位机电连接，所述列驱动器与各列的各个所述液晶掩膜版单元的电极电连接，所述行驱动器与各行的各个所述液晶掩膜版单元的电极电连接。