[发明专利]横向扩散高压器件及其制作方法

权利要求书

1.一种横向扩散高压器件，其特征在于，所述横向扩散高压器件包括：

衬底层，所述衬底层上注入形成N型埋层；

外延层，所述外延层生长在所述N型埋层上；

场区氧化结构，所述场区氧化结构包括开设于所述外延层中的场区沟槽，和填充在所述场区沟槽中的场区氧化层；

漂移区，所述漂移区形成于所述场区氧化结构周围的外延层中；

体区，所述体区形成于所述漂移区一侧的外延层中；

栅极结构，所述栅极结构设于所述外延层上，且所述栅极结构的两侧分别与所述体区和场区氧化结构交叠；所述栅极结构的周侧形成侧墙介质层；

浓度调节区，所述浓度调节区形成于所述体区中，且所述浓度调节区与所述栅极结构之间交叠形成浓度调节交叠区；

在所述栅极结构一侧的体区中注入形成源极注入区和LDD注入区；

在所述栅极结构另一侧的所述漂移区中注入形成漏极注入区。

2.如权利要求1所述的横向扩散高压器件，其特征在于，所述源极注入区位于所述浓度调节区中。

3.如权利要求2所述的横向扩散高压器件，其特征在于，所述LDD注入区位于所述浓度调节区中。

4.如权利要求1～3中任一项所述的横向扩散高压器件，其特征在于，通过15度～45度的注入角度，将浓度调节杂质原子注入到所述体区中，形成与所述栅极结构交叠的所述浓度调节区。

5.如权利要求4中任一项所述的横向扩散高压器件，其特征在于，通过0度～7度的注入角度，在所述体区中注入形成源极注入区。

6.如权利要求1所述的横向扩散高压器件，其特征在于，所述场区氧化层的厚度为300埃～4000埃。

7.一种横向扩散高压器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底层，在所述衬底层上进行注入形成N型埋层；

在所述N型埋层上生长形成外延层；

刻蚀所述外延层，形成场区沟槽；

通过热氧化和化学气相沉淀工艺，在所述场区沟槽中填充场区氧化层，形成场区氧化结构；

向所述场区氧化结构位置处的外延层中进行漂移区注入，横向扩散后形成所述器件的漂移区；

进行体区注入，在位于所述漂移区一侧的外延层中形成所述器件的体区；

制作所述器件的栅极结构，使得所述栅极结构的两侧分别与所述体区和场区氧化结构交叠；

向所述体区中注入浓度调节杂质，在所述体区中形成浓度调节区，使得所述浓度调节区与所述栅极结构交叠；

进行LDD注入，在所述体区中形成LDD注入区；

在所述栅极结构的周侧生长形成侧墙介质层；

在所述体区中注入形成源极注入区；

在所述场区氧化结构远离所述栅极结构一侧的漂移区中，形成漏极注入区。

8.如权利要求1所述的横向扩散高压器件的制作方法，其特征在于，所述场区氧化层的厚度为300埃～4000埃。

9.如权利要求1所述的横向扩散高压器件的制作方法，其特征在于，所述在所述体区中注入形成源极注入区，包括：

在所述体区位置处的所述浓度调节区中注入形成所述源极注入区。

10.如权利要求9所述的横向扩散高压器件的制作方法，其特征在于，所述进行LDD注入，在所述体区中形成LDD注入区，包括：进行LDD注入，在所述体区位置处的所述浓度调节区中形成所述LDD注入区。

11.如权利要求7～9所述的横向扩散高压器件的制作方法，其特征在于，所述向所述体区中注入浓度调节杂质，在所述体区中形成浓度调节区，使得所述浓度调节区与所述栅极结构交叠包括：

通过15度～45度的注入角度，将浓度调节杂质原子注入到所述体区中，形成与所述栅极结构交叠的所述浓度调节区。

12.如权利要求11所述的横向扩散高压器件的制作方法，其特征在于，所述在所述体区中注入形成源极注入区：

通过0度～7度的注入角度，在所述体区中注入形成源极注入区。