[发明专利]横向扩散高压器件及其制作方法

说明书

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种横向扩散高压器件及其制作方法。其中横向扩散高压器件包括：衬底层上注入形成N型埋层；外延层生长在N型埋层上；场区氧化结构包括开设于外延层中的场区沟槽，和填充在场区沟槽中的场区氧化层；漂移区，漂移区形成于场区氧化结构周围的外延层中；体区，体区形成于漂移区一侧的外延层中；栅极结构，栅极结构设于外延层上，且栅极结构的两侧分别与体区和场区氧化结构交叠；栅极结构的周侧形成侧墙介质层；浓度调节区，浓度调节区形成于体区中，且浓度调节区与栅极结构之间交叠形成浓度调节交叠区；在栅极结构一侧的体区中注入形成源极注入区和LDD注入区；在栅极结构另一侧的漂移区中注入形成漏极注入区。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种横向扩散高压器件及其制作方法。

背景技术

横向扩散高压器件是电源管理，高压集成电路中常用的器件。相关技术中的横向扩散高压器件包括基底层和设于基底层上的栅极结构，基底层上设有场区氧化结构，场区氧化结构的一侧设有体区，体区和栅极结构之间交叠形成体区交叠区，对于体区交叠区，其杂质浓度会影响到器件的寄生三极管的电流放大系数和器件的开启电压。

然而，对于相关技术中的体区，其杂质原子的种类，掺杂的浓度和掺杂能量是由器件本身的性能决定，无法进行适应性调节，而由于体区的掺杂浓度无法进行适应性调节，因此对于相关技术，调节器件的寄生三极管的电流放大系数以及开启电压的工艺较为复杂。

发明内容

本申请提供了一种横向扩散高压器件及其制作方法，可以解决相关技术中调节器件的寄生三极管的电流放大系数的工艺较为复杂的问题。

作为本申请的第一方面，本申请提供一种横向扩散高压器件，所述横向扩散高压器件包括：

衬底层，所述衬底层上注入形成N型埋层；

外延层，所述外延层生长在所述N型埋层上；

场区氧化结构，所述场区氧化结构包括开设于所述外延层中的场区沟槽，和填充在所述场区沟槽中的场区氧化层；

漂移区，所述漂移区形成于所述场区氧化结构周围的外延层中；

体区，所述体区形成于所述漂移区一侧的外延层中；

栅极结构，所述栅极结构设于所述外延层上，且所述栅极结构的两侧分别与所述体区和场区氧化结构交叠；所述栅极结构的周侧形成侧墙介质层；

浓度调节区，所述浓度调节区形成于所述体区中，且所述浓度调节区与所述栅极结构之间交叠形成浓度调节交叠区；

在所述栅极结构一侧的体区中注入形成源极注入区和LDD注入区；

在所述栅极结构另一侧的所述漂移区中注入形成漏极注入区。

可选的，所述源极注入区位于所述浓度调节区中。

可选的，所述LDD注入区位于所述浓度调节区中。

可选的，通过15度～45度的注入角度，将浓度调节杂质原子注入到所述体区中，形成与所述栅极结构交叠的所述浓度调节区。

可选的，通过0度～7度的注入角度，在所述体区中注入形成源极注入区。

可选的，所述场区氧化层的厚度为300埃～4000埃。

作为本申请的第二方面，提供一种横向扩散高压器件的制作方法，包括以下步骤：

提供衬底层，在所述衬底层上进行注入形成N型埋层；

在所述N型埋层上生长形成外延层；

刻蚀所述外延层，形成场区沟槽；