[发明专利]阵列基板制备方法及成膜系统

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A：一制备腔室将金属粒子沉积在基底上，直至所述基底的实时温度大于第一设定温度为止，以在所述基底上形成一金属层；

步骤B：将所述基底转移至冷却腔室；

步骤C：所述冷却腔室降低所述基底的温度；

步骤D：当所述基底的实时温度小于第二设定温度时，将所述基底转移至另一制备腔室，所述第二设定温度和所述第一设定温度之间相差5摄氏度、10摄氏度、20摄氏度、30摄氏度、50摄氏度或100摄氏度；

步骤E：所述另一制备腔室将所述金属粒子沉积在所述金属层上，直至所述基底的实时温度所述大于第一设定温度为止，以在所述基底上形成另一金属层；

其中，在所述步骤A之前，所述制备方法还包括步骤：

根据所述基底的耐热属性以及所要达到的目标厚度的所述金属层，在不同温度下进行测试或进行仿真实验调整，以获得所述基底发生翘曲时的临界温度；

根据所述基底的耐热属性和所述目标厚度的金属层的应力，确定所述第一设定温度，所述第一设定温度小于所述临界温度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述步骤E之后，还包括步骤：

重复步骤B至步骤E，直至所有所述金属层的堆叠厚度达到目标厚度为止。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤C包括：所述冷却腔室中通入非氧化性气体，以降低所述基底的温度。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述非氧化性气体为氮气或惰性气体中的一种。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述冷却腔室内设置一冷却载台；

所述步骤B包括：将所述基底转移至一所述冷却腔室的冷却载台上；

所述步骤C包括：向所述冷却载台内通入冷却液，以降低所述基底的温度。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，当所述制备腔室和所述冷却腔室处于工作状态时，所述制备腔室和所述冷却腔室处于真空状态。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料为铜或铝。