[发明专利]阵列基板制备方法及成膜系统

说明书

本申请提供一种阵列基板的制备方法及成膜系统，该制备方法包括步骤A：一制备腔室将金属粒子沉积在基底上，直至所述基底的实时温度大于第一设定温度为止，以在所述基底上形成一金属层；步骤B：将所述基底转移至冷却腔室；步骤C：所述冷却腔室降低所述基底的温度；步骤D：当所述基底的实时温度小于第二设定温度时，将所述基底转移至另一制备腔室；步骤E：所述另一制备腔室将所述金属粒子沉积在所述金属层上，直至所述基底的实时温度所述大于第一设定温度为止，以在所述基底上形成另一金属层。本申请通过将目标厚度的金属叠层分成至少两次堆叠形成，降低了每次沉积金属粒子的时长，以降低基底受热温度，进而避免基底因受热过高而发生翘曲。

技术领域

本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种阵列基板的制备方法及成膜系统。

背景技术

由于8K显示面板对充电率需求的增加，因此通常通过增加金属(如Cu)的厚度来实现低电阻，以提高充电率。但是，由于金属膜层厚度增加，增长了金属膜层的沉积时间，进而提高了放置形成有金属膜层的阵列基板的机台的温度；而在高温中，阵列基板容易发生翘曲。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法及成膜系统，以解决现有的显示面板在制备高厚度的金属膜层时，因沉积过程中温度过高导致金属膜层底下的阵列基板容易发生翘曲的技术问题。

本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：

步骤A：一制备腔室将金属粒子沉积在基底上，直至所述基底的实时温度大于第一设定温度为止，以在所述基底上形成一金属层；

步骤B：将所述基底转移至冷却腔室；

步骤C：所述冷却腔室降低所述基底的温度；

步骤D：当所述基底的实时温度小于第二设定温度时，将所述基底转移至另一制备腔室；

步骤E：所述另一制备腔室将所述金属粒子沉积在所述金属层上，直至所述基底的实时温度大于所述第一设定温度为止，以在所述基底上形成另一金属层。

在本申请实施例所述的阵列基板的制备方法中，在所述步骤E之后，还包括步骤：

重复步骤B至步骤E，直至所有所述金属层的堆叠厚度达到目标厚度为止。

在本申请实施例所述的阵列基板的制备方法中，所述步骤C包括：所述冷却腔室中通入非氧化性气体，以降低所述基底的温度。

在本申请实施例所述的阵列基板的制备方法中，所述非氧化性气体为氮气或惰性气体中的一种。

在本申请实施例所述的阵列基板的制备方法中，所述冷却腔室内设置一冷却载台；

所述步骤B包括：将所述基底转移至一所述冷却腔室的冷却载台上；

所述步骤C包括：向所述冷却载台内通入冷却液，以降低所述基底的温度。

在本申请实施例所述的阵列基板的制备方法中，在所述步骤A之前，所述制备方法还包括步骤：

根据所述基底的耐热属性和所述目标厚度的金属层的应力，确定所述第一设定温度。

在本申请实施例所述的阵列基板的制备方法中，当所述制备腔室和所述冷却腔室处于工作状态时，所述制备腔室和所述冷却腔室处于真空状态。

在本申请实施例所述的阵列基板的制备方法中，所述金属层的材料为铜或铝。

本申请还涉及一种成膜系统，其包括：

至少两个制备腔室，所述制备腔室包括一腔室和设置在所述腔室内的成膜机构，所述成膜机构用于在基底上制备金属层；

至少一个冷却腔室，所述冷却腔室用于冷却所述基底，所述冷却腔室设置在两个所述制备腔室之间；