[发明专利]一种发光器件及其制作方法

说明书

本发明涉及LED技术领域，具体公开一种发光器件，包括小方杯发光器件的支架，支架包括：第一金属层、第二金属层、绝缘层、反光层、LED芯片、齐纳二极管、若干导线；第一金属层的上表面设置有芯片放置银层，第二金属层的上表面设置有连接银层，芯片放置银层向外延伸有第一焊线区；齐纳二极管通过导线与第一焊线区导电连接。本发明利用小方杯发光器件的支架的优点，在小方杯发光器件的支架的基础上设置第一焊线区，使得在齐纳二极管焊线的过程中，瓷嘴仅接触到第一焊线区，不触碰到LED芯片、绝缘层和反光层，进而保证齐纳二极管可安装在小方杯发光器件的支架上，使得本发明同时具备大方杯发光器件和小方杯发光器件的优点。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，特别涉及一种发光器件及其制作方法。

背景技术

如图1，现有发光器件的支架包括第一金属层、第二金属层、绝缘层、反光层、LED(LightEmitting Diode，发光二极管，简称LED)芯片、导线等，绝缘层将第一金属层和第二金属层隔离，LED芯片安装在第一金属层上，并通过导线分别和第一金属层上的芯片放置银层、第二金属层上的连接银层连接。现有技术中，由于芯片放置银层、连接银层的面积大，且因银层面吸收光、易硫化等特点，使得大方杯发光器件存在制造成本高、导电性能差、发光效率低等技术问题。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种发光器件，该发光器件具有银层面积小、发光效果高的优点。

为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种发光器件，包括：第一金属层、第二金属层、绝缘层、反光层、LED芯片、齐纳二极管、若干导线；

所述绝缘层设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间；

所述第一金属层的上表面设置有芯片放置银层，所述第二金属层的上表面设置有连接银层；所述芯片放置银层的大小与所述LED芯片的大小相适应，所述连接银层的大小与所述齐纳二极管的大小相适应；所述芯片放置银层向外延伸有第一焊线区，所述连接银层向外延伸有第二焊线区；

所述LED芯片设置在所述芯片放置银层上，所述齐纳二极管设置在所述连接银层上，所述LED芯片通过所述导线分别与所述第一焊线区、第二焊线区导电连接，所述齐纳二极管通过所述导线与所述第一焊线区导电连接；

所述反光层设置在所述第一金属层和所述第二金属层上，且所述芯片放置银层、连接银层位于所述反光层围成的反光杯内。

作为优选，所述第一焊线区包括第一焊线分区，所述第一焊线分区设置在所述芯片放置银层的靠近所述绝缘层的一端；所述齐纳二极管与所述第一焊线分区导电连接。

作为优选，所述第一焊线分区的形状与瓷嘴的形状相适应。

作为优选，所述连接银层上设置有高反射胶层，所述齐纳二极管覆盖在所述高反射胶层下。

作为优选，所述绝缘层突出于所述芯片放置银层的一端呈圆弧形。

作为优选，所述绝缘层位于所述第一金属层与所述第二金属层之间的缝隙内的部分呈倒T形。

作为优选，所述绝缘层为树脂层。

作为优选，所述第一金属层的下表面设置有第一金属焊接层，所述第二金属层的下表面设置有第二金属焊接层。

本发明另一方面还提供如上所述的发光器件的制作方法，包括如下步骤：

采用冲压工艺形成所述第一金属层和所述第二金属层；

采用选镀工艺在所述第一金属层上形成所述芯片放置银层、在所述第二金属层上形成所述连接银层，所述芯片放置银层上设置有所述第一焊线区，所述连接银层上设置有所述第二焊线区；