[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010305967.6 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111509041A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 廖航 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包含：
衬底；
经掺杂III-V族层，设置于所述衬底上；
闸极导体，设置于所述经掺杂III-V族层上；
场板，设置于所述闸极导体上；
第一钝化层，位于所述场板与所述闸极导体之间；及
第二钝化层，位于所述场板与所述第一钝化层之间。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一钝化层的第一介电常数与所述第二钝化层的第二介电常数不同。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一介电常数小于所述第二介电常数。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，更包括第一III-V族层，设置于所述衬底上。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，更包括第二III-V族层，设置于所述第一III-V族层上，其中所述第二III-V族层具有较所述第一III-V族层大的能带间隙。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，更包括汲极导体和源极导体，其设置于所述第二III-V族层上。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述场板与所述源极导体电连接。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一钝化层包含SiO2。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二钝化层包含Si3N4。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，更包括：
第三钝化层，设置于所述闸极导体上且于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第三钝化层的第三介电常数与所述第二钝化层的第二介电常数及与所述第一钝化层的第一介电常数不同。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第三介电常数小于所述第二介电常数且大于所述第一介电常数。
13.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
所述第一III-V族层包含GaN。
14.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：
所述第二III-V族层包含AlGaN。
15.一种半导体器件，包含：
衬底；
经掺杂III-V族层，设置于所述衬底上；
闸极导体，设置于所述经掺杂III-V族层上；
第一钝化层，设置于所述经掺杂III-V族层上；及
第二钝化层，设置于所述第一钝化层上。
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述第一钝化层的第一介电常数与所述第二钝化层的第二介电常数不同。
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述第一介电常数小于所述第二介电常数。
18.根据权利要求15所述的半导体器件，更包括第一III-V族层，设置于所述衬底上。
19.根据权利要求18所述的半导体装置，更包括第二III-V族层，设置于所述第一III-V族层上，其中所述第二III-V族层具有较所述第一III-V族层大的能带间隙。
20.根据权利要求18所述的半导体器件，更包括：
汲极导体和源极导体，其设置于所述第一III-V族层上。
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