[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本揭露是关于一半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：衬底、经掺杂III‑V族层、闸极导体、场板、第一钝化层及第二钝化层。所述经掺杂III‑V族层设置于所述衬底上。所述闸极导体设置于所述经掺杂III‑V族层上。所述场板设置于所述闸极导体上。所述第一钝化层位于所述场板与所述闸极导体之间。所述第二钝化层位于所述场板与所述第一钝化层之间。

技术领域

本揭露是关于一半导体器件及其制造方法，特别是关于具有经掺杂III-V族层及钝化层的一半导体器件。

背景技术

包括直接能隙(direct bandgap)半导体的组件，例如包括三五族材料或III-V族化合物(Category:III-V compounds)的半导体组件，由于其特性而可在多种条件或环境(例如不同电压、频率)下操作(operate)或运作(work)。

上述半导体组件可包括异质接面双极晶体管(heterojunction bipolartransistor，HBT)、异质接面场效晶体管(heterojunction field effect transistor，HFET)、高电子迁移率晶体管(high-electron-mobility transistor，HEMT)、异质接面二极管(heterojunction diode)或调变掺杂场效晶体管(modulation-doped FET，MODFET)等。

作为第三代半导体材料的典型代表，宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能，是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料，在民用和商用领域具有广阔的应用前景。

发明内容

本公开的一些实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件包含衬底、经掺杂III-V族层、闸极导体、场板、第一钝化层及第二钝化层。所述经掺杂III-V族层设置于所述衬底上。所述闸极导体设置于所述经掺杂III-V族层上。所述场板设置于所述闸极导体上。所述第一钝化层位于所述场板与所述闸极导体之间。所述第二钝化层位于所述场板与所述第一钝化层之间。

本公开的一些实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件包含衬底、经掺杂III-V族层、闸极导体、第一钝化层及第二钝化层。所述经掺杂III-V族层设置于所述衬底上。所述闸极导体设置于所述经掺杂III-V族层上。所述第一钝化层设置于所述经掺杂III-V族层上。所述第二钝化层设置于所述第一钝化层上。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式容易理解本公开的各方面。应注意，各个特征可以不按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1所示为根据本案的某些实施例的一半导体器件的侧视图；

图2所示为根据本案的某些实施例的一半导体器件的侧视图；

图3所示为根据本案的某些实施例的一半导体器件的侧视图；

图4所示为根据本案的某些实施例的一半导体器件的侧视图；

图5a、图5b、图5c及图5d所示为制造根据本案的某些实施例的一半导体器件的操作。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。在本公开中，在以下描述中对第一特征形成在第二特征上或上方的叙述可包含第一特征与第二特征直接接触形成的实施例，并且还可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可以在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。