[发明专利]晶体管结构在审
申请号: | 202010306915.0 | 申请日: | 2020-04-17 |
公开(公告)号: | CN111834461A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 卢超群;黄立平 | 申请(专利权)人: | 钰创科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 结构 | ||
1.一种晶体管结构,其特征在于包含:
一栅极,位于一硅表面上方;
一间隔层,位于所述硅表面上方,其中所述间隔层至少覆盖所述栅极的一侧壁;
一通道区,位于所述硅表面下方;
一第一凹槽;以及
一第一导电区,至少部分地形成于所述第一凹槽内;
其中位于所述晶体管结构旁的一相邻晶体管结构的一导电区是至少部分地形成于所述第一凹槽内。
2.如权利要求1所述的晶体管结构,其特征在于另包含:
一第二凹槽;以及
一第二导电区,至少部分地形成于所述第二凹槽内。
3.如权利要求2所述的晶体管结构,其特征在于:所述第一导电区具有沿着一第一延伸方向的一第一掺杂浓度分布,以及所述第二导电区具有沿着一第二延伸方向的一第二掺杂浓度分布,其中所述第一延伸方向和所述第二延伸方向平行于所述硅表面的法线方向,以及所述第一掺杂浓度分布和所述第二掺杂浓度分布并非对称。
4.如权利要求1所述的晶体管结构,其特征在于另包含:一第一绝缘层,形成于所述第一凹槽内且位于所述第一导电区下方。
5.如权利要求4所述的晶体管结构,其特征在于:所述第一导电区包含一第一上方部分、一第二上方部分、和一下方部分,所述第一上方部分和所述第二上方部分接触所述间隔层,以及所述下方部分接触所述通道区且位于所述第一绝缘层之上。
6.如权利要求5所述的晶体管结构,其特征在于另包含:一第二绝缘层,覆盖所述第一导电区。
7.如权利要求6所述的晶体管结构,其特征在于另包含:一接触区,至少部分地形成于所述第一凹槽内,其中所述第一导电区的所述第二上方部分接触所述接触区,以及所述第二绝缘层将所述第一导电区的所述第一上方部分和所述下方部分与所述接触区分开。
8.如权利要求1所述的晶体管结构,其特征在于:所述相邻晶体管结构的所述导电区与所述第一导电区电隔离。
9.如权利要求1所述的晶体管结构,其特征在于:所述通道区的至少一部分是位于所述栅极和所述间隔层下方,以及所述通道区的长度不小于所述栅极的长度与所述间隔层的长度的总和。
10.如权利要求1所述的晶体管结构,其特征在于:一高应力的介电层形成于所述第一导电区、所述间隔层、和所述栅极之上。
11.一种晶体管结构,其特征在于包含:
一栅极,位于一硅表面上方;
一间隔层,覆盖所述栅极的一侧壁;
一通道区,其中所述通道区的至少一部分是位于所述栅极和所述间隔层下方;以及
一第一导电区,形成于所述间隔层和一侧面绝缘层之间,其中所述第一导电区的一侧壁的部分被所述侧面绝缘层覆盖。
12.如权利要求11所述的晶体管结构,其特征在于:所述第一导电区是部分形成于一第一凹槽内,以及所述侧面绝缘层是部分形成于所述第一凹槽内。
13.如权利要求12所述的晶体管结构,其特征在于:一底部绝缘层形成于所述第一凹槽内,且所述第一导电区是位于所述底部绝缘层之上。
14.如权利要求13所述的晶体管结构,其特征在于:所述第一导电区包含一第一上方部分、一第二上方部分、和一下方部分,所述第一上方部分和所述第二上方部分接触所述间隔层,以及所述下方部分接触所述通道区且位于所述底部绝缘层之上。
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