[发明专利]集成电路半导体器件

权利要求书

1.一种集成电路半导体器件，包括：

衬底的第一区域中的多桥沟道型晶体管，

其中所述多桥沟道型晶体管包括：所述衬底上的纳米片堆叠结构；所述纳米片堆叠结构上的第一栅介电层；以及所述第一栅介电层上的第一栅电极；以及

所述衬底的第二区域中的鳍型晶体管，

其中所述鳍型晶体管包括：所述衬底上的有源鳍；所述有源鳍上的第二栅介电层；以及所述第二栅介电层上的第二栅电极，

其中所述纳米片堆叠结构的宽度大于所述有源鳍的宽度。

2.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中所述有源鳍包括彼此间隔开的第一有源鳍和第二有源鳍，并且所述纳米片堆叠结构的宽度大于或等于所述第一有源鳍和所述第二有源鳍的宽度之和。

3.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中所述有源鳍在第一方向上延伸，所述第一栅电极和所述第二栅电极在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，

其中所述第一栅电极在所述第一方向上的宽度小于所述第二栅电极在所述第一方向上的宽度。

4.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中栅间隔物形成在所述第一栅电极的第一侧壁和第二侧壁上。

5.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中所述纳米片堆叠结构在垂直于所述衬底的表面的方向上处于与所述有源鳍相同的高度。

6.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中所述有源鳍包括单个半导体层。

7.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中所述有源鳍包括多个堆叠的半导体层。

8.根据权利要求7所述的集成电路半导体器件，其中盖层覆盖所述多个堆叠的半导体层。

9.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中所述有源鳍包括与所述衬底不同的主体。

10.一种集成电路半导体器件，包括：

衬底的第一区域中的多桥沟道型晶体管，

其中所述多桥沟道型晶体管包括：在所述衬底上在第一方向上延伸的第一场子鳍；所述第一场子鳍上的纳米片堆叠结构；所述纳米片堆叠结构上的第一栅介电层；以及在所述第一栅介电层上在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第一栅电极；以及

所述衬底的第二区域中的鳍型晶体管，

其中所述鳍型晶体管包括：在所述第一方向上延伸的第二场子鳍；在所述第二场子鳍上在所述第一方向上延伸的有源鳍；所述有源鳍上的第二栅介电层；以及在所述第二栅介电层上在所述第二方向上延伸的第二栅电极，

其中所述纳米片堆叠结构在所述第二方向上的宽度大于所述有源鳍在所述第二方向上的宽度。

11.根据权利要求10所述的集成电路半导体器件，其中所述有源鳍包括彼此间隔开的两个有源鳍，其中所述纳米片堆叠结构在所述第二方向上的宽度大于或等于所述两个有源鳍在所述第二方向上的宽度之和。

12.根据权利要求10所述的集成电路半导体器件，其中所述第一栅电极在所述第一方向上的宽度小于所述第二栅电极在所述第一方向上的宽度。

13.根据权利要求10所述的集成电路半导体器件，其中所述纳米片堆叠结构在垂直于所述衬底的表面的第三方向上处于与所述有源鳍相同的高度。

14.根据权利要求10所述的集成电路半导体器件，其中所述第二场子鳍包括与所述衬底相同的主体，并且所述有源鳍包括与所述第二场子鳍不同的主体。

15.根据权利要求10所述的集成电路半导体器件，其中所述纳米片堆叠结构形成在所述第一场子鳍和所述第一栅电极彼此交叉的区域中。