[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

公共源极线；

沟道结构，所述沟道结构从所述公共源极线在垂直方向上延伸；

栅极层叠结构，所述栅极层叠结构围绕所述沟道结构，其中，所述栅极层叠结构包括交替地层叠在所述公共源极线上的层间绝缘层和导电图案；以及

位线，所述位线设置在所述栅极层叠结构上并连接至所述沟道结构，

其中，所述沟道结构包括：

中空型沟道层，所述中空型沟道层具有面对所述位线的封闭端部和面对所述公共源极线的开放端部。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：位接触插塞，所述位接触插塞设置在所述沟道层和所述位线之间，所述位接触插塞围绕所述沟道层的所述封闭端部。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道层的所述封闭端部从所述栅极层叠结构朝向所述位线突出。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述公共源极线包括围绕所述沟道层的所述开放端部的侧壁的掺杂半导体图案，所述掺杂半导体图案延伸到所述沟道层的中部区域中，所述掺杂半导体图案包括导电型掺杂剂。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述公共源极线还包括金属图案，所述金属图案形成在所述掺杂半导体图案的表面上，所述金属图案经由所述掺杂半导体图案连接至所述沟道结构。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括沿着所述沟道结构的侧壁延伸的存储器层，

其中，所述沟道结构还包括填充所述沟道层的中部区域的芯绝缘层。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道层的所述开放端部比所述存储器层进一步朝向所述公共源极线突出，所述沟道层的所述开放端部嵌入到所述公共源极线中。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

虚设层叠结构，所述虚设层叠结构与所述栅极层叠结构平行；以及

垂直接触插塞，所述垂直接触插塞贯穿所述虚设层叠结构。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述垂直接触插塞包括：

金属图案，所述金属图案从所述虚设层叠结构内延伸到所述虚设层叠结构的底表面上；以及

掺杂半导体图案，所述掺杂半导体图案设置在所述金属图案与所述虚设层叠结构的所述底表面之间。

10.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

基板，所述基板包括与所述栅极层叠结构交叠的源极线驱动电路和与所述虚设层叠结构交叠的页缓冲器电路；

绝缘结构，所述绝缘结构在所述基板、所述垂直接触插塞和所述公共源极线之间延伸；以及

导电连接结构，所述导电连接结构贯穿所述绝缘结构，其中，所述导电连接结构将所述公共源极线连接至所述源极线驱动电路，并将所述垂直接触插塞连接至所述页缓冲器电路。

11.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述位线延伸到所述虚设层叠结构上以连接至所述垂直接触插塞。

12.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

公共源极线；

位线，所述位线在垂直方向上与所述公共源极线间隔开；

栅极层叠结构，所述栅极层叠结构包括层间绝缘层和导电图案，其中，所述层间绝缘层和所述导电图案交替地层叠在所述公共源极线和所述位线之间；

孔，所述孔贯穿所述栅极层叠结构，所述孔具有靠近所述位线变窄而靠近所述公共源极线变宽的锥形形状；

存储器层，所述存储器层形成在所述孔的表面上；以及

沟道结构，所述沟道结构设置在所述存储器层上，所述沟道结构连接至所述公共源极线和所述位线。