[发明专利]可变电容器及可变电容器的形成方法

权利要求书

1.一种可变电容器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区位于相邻的第二区之间，所述第一区上具有若干鳍部结构，若干所述鳍部结构沿平行于衬底表面的第一方向排列；

位于第一区上的栅极结构，所述栅极结构横跨若干所述鳍部结构；

位于第二区上的第一伪栅极结构，所述第一伪栅极结构与栅极结构平行；

位于第一区上的第二伪栅极结构，所述第二伪栅极结构位于所述栅极结构两侧，所述第二伪栅极结构横跨若干所述鳍部结构，且所述第二伪栅极结构与所述栅极结构平行；

位于栅极结构两侧鳍部结构内的源漏掺杂区，所述源漏掺杂区位于栅极结构和第二伪栅极结构之间；

位于源漏掺杂区上的第一插塞，所述第一插塞与所述源漏掺杂区电连接；

位于第一伪栅极结构上的第二插塞，所述第二插塞与所述第一伪栅极结构电连接；

位于衬底上的隔离结构，所述隔离结构位于所述栅极结构顶部表面和侧壁表面、第一伪栅极结构顶部表面和侧壁表面以及第二伪栅极结构顶部表面和侧壁表面，所述隔离结构覆盖所述第一插塞和第二插塞；

位于第一插塞上和第二插塞上的第一导电层，所述第一导电层与所述第一插塞电连接，且所述第一导电层与所述第二插塞电连接，所述第一导电层位于所述隔离结构上。

2.如权利要求1所述的可变电容器，其特征在于，还包括：位于隔离结构和第一导电层之间的第一介质层；位于第一介质层内的第二导电层，所述第二导电层与所述第一插塞电连接；位于第一介质层内的第三导电层，所述第三导电层与所述第二插塞电连接。

3.如权利要求2所述的可变电容器，其特征在于，还包括：位于第一介质层和第一导电层之间的第二介质层；位于第二介质层内的若干第三插塞，若干所述第三插塞分别与第二导电层电连接，若干所述第三插塞分别与第三导电层电连接；所述第一导电层与所述第三插塞电连接。

4.如权利要求2所述的可变电容器，其特征在于，还包括：位于隔离结构内的第四插塞，所述第四插塞位于栅极结构顶部表面的隔离结构内，且所述第四插塞与所述栅极结构顶部电连接。

5.如权利要求4所述的可变电容器，其特征在于，还包括：位于所述第一介质层内的第四导电层，所述第四导电层位于第四插塞顶部表面的第一介质层内，且所述第四导电层与所述第四插塞电连接。

6.如权利要求2所述的可变电容器，其特征在于，还包括：位于第一伪栅极结构和第二伪栅极结构之间的第一介质层内的第一伪导电层，所述第一伪导电层与所述第二导电层平行。

7.如权利要求2所述的可变电容器，其特征在于，还包括：位于第二伪栅极结构顶部表面的第一介质层内的第二伪导电层。

8.如权利要求1所述的可变电容器，其特征在于，所述第一插塞的材料包括金属，所述金属包括：铜、铝、钨、钴和氮化钛中的一种或多种的组合；所述第二插塞的材料包括金属，所述金属包括：铜、铝、钨、钴和氮化钛中的一种或多种的组合。

9.如权利要求2所述的可变电容器，其特征在于，所述第一导电层的材料包括金属，所述金属包括：铜、铝、钨、钴和氮化钛中的一种或多种的组合；所述第二导电层的材料包括金属，所述金属包括：铜、铝、钨、钴和氮化钛中的一种或多种的组合；所述第三导电层的材料包括金属，所述金属包括：铜、铝、钨、钴和氮化钛中的一种或多种的组合。