[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010312290.9 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111463138B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 胡顺;陈赫;刘艳云 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽，形成所述定位槽的底壁具有第一厚度；
对所述封装芯片的定位槽进行修剪，使得所述定位槽的底壁具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；
提供封装基底，于所述封装基底上形成胶层，所述封装芯片设在所述胶层上且与所述胶层胶合；
对所述封装芯片修剪研磨以去除所述定位槽的底壁。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二厚度为387μm～750μm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述封装芯片包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆键合形成所述封装芯片，所述第一晶圆的下表面与所述第二晶圆的上表面贴合。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述定位槽贯穿所述第一晶圆且部分形成在所述第二晶圆上，所述定位槽的底壁的第二厚度T2和所述第二晶圆的厚度T1满足：2T2≤T1。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述定位槽沿所述封装芯片径向方向的宽度为1mm～3mm。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述定位槽沿所述封装芯片的周向延伸一周。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述胶层由环氧树脂材料制成。
8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽；
对所述封装芯片进行修剪以去除所述封装芯片形成所述定位槽的底壁边缘部分；
提供封装基底，于所述封装基底上形成胶层，所述封装芯片设在所述胶层上且与所述胶层胶合；
对所述封装芯片进行研磨削薄。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述封装芯片包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆键合形成所述封装芯片，所述第一晶圆的下表面与所述第二晶圆的上表面贴合。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一晶圆的上表面与所述胶层贴合后，对所述第二晶圆的下表面进行研磨削薄。
11.根据权利要求8-10中任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述定位槽沿所述封装芯片径向方向的宽度为1mm～3mm。
12.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述定位槽沿所述封装芯片的周向延伸一周。
13.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述胶层由环氧树脂材料制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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