[发明专利]半导体器件及其制备方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述制备方法包括提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽，形成所述定位槽的底壁具有第一厚度；对所述封装芯片的定位槽进行修剪，使得所述定位槽的底壁具有第二厚度，所述第二厚度小于第一厚度；提供封装基底，于所述封装基底上形成胶层，所述封装芯片设在所述胶层上且与所述胶层胶合；对所述封装芯片修剪研磨以去除所述定位槽的底壁。根据本发明实施例的半导体器件的制备方法，能够减小半导体器件损坏，提高半导体器件的良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

在3D IC技术平台中，晶圆键合技术应用日益广泛，两片或多片晶圆贴合对waferedge质量要求很高，相关技术的晶圆键合后形成的封装芯片，在FAB端出厂进入PKG封装时，封装芯片的一侧形成有大体帽沿形状，由此在封装芯片的PKG封装的研磨减薄时，研磨晶圆容易造成晶圆产生裂纹，增加晶圆的内应力，而且使得晶圆在随后的工艺中易造成破片显现，降低产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法，能够降低半导体器件封装工艺中造成的破片，提高产品良率。

本发明中提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽，形成所述定位槽的底壁具有第一厚度；对所述封装芯片的定位槽进行修剪，使得所述定位槽的底壁具有第二厚度，所述第二厚度小于第一厚度；提供封装基底，于所述封装基底上形成胶层，所述封装芯片设在所述胶层上且与所述胶层胶合；对所述封装芯片修剪研磨以去除所述定位槽的底壁。

由此，根据本发明实施例的半导体器件的制备方法，能够避免由于定位槽的底壁断裂而导致封装芯片内部线路被破坏，减小由于封装芯片形成定位槽的边缘部分破裂导致的半导体器件损坏，进而可提高半导体器件的良率。

根据本发明的一些实施例，所述第二厚度为387μm～750μm。

根据本发明的一些实施例，所述封装芯片包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆键合形成所述封装芯片，所述第一晶圆的下表面与所述第二晶圆的上表面贴合。

根据本发明的一些实施例，所述定位槽贯穿所述第一晶圆且部分形成在所述第二晶圆上，所述定位槽的底壁的第二厚度T1和所述第二晶圆的厚度T2满足：2T2≤T1。

根据本发明的一些实施例，所述定位槽沿所述封装芯片径向方向的宽度为1mm～3mm。

根据本发明的一些实施例，所述定位槽沿所述封装芯片的周向延伸一周。

根据本发明的一些实施例，所述胶层由环氧树脂材料制成。

本发明还提出了一种半导体器件的制备方法。

根据本发明实施例的制备方法包括：提供封装芯片，所述封装芯片的边缘形成有定位槽；对所述封装芯片进行修剪以去除所述封装芯片形成所述定位槽的底壁边缘部分；提供封装基底，于所述封装基底上形成胶层，所述封装芯片设在所述胶层上且与所述胶层胶合；对所述封装芯片进行研磨削薄。

根据本发明的一些实施例，所述封装芯片包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆键合形成所述封装芯片，所述第一晶圆的下表面与所述第二晶圆的上表面贴合。

可选地，在所述第一晶圆的上表面与所述胶层贴合后，对所述第二晶圆的下表面进行研磨削薄。

根据本发明的一些实施例，所述定位槽贯穿所述第一晶圆且部分形成在所述第二晶圆上，所述定位槽的底壁的第二厚度T2和所述第二晶圆的厚度T1满足：2T2≤T1。

根据本发明的一些实施例，所述定位槽沿所述封装芯片径向方向的宽度为1mm～3mm。

根据本发明的一些实施例，所述定位槽沿所述封装芯片的周向延伸一周。