[发明专利]一种低介电常数导热硅胶片及其制备方法在审
申请号: | 202010312297.0 | 申请日: | 2020-04-20 |
公开(公告)号: | CN111378284A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 周腾;吴庆迪;刘晓阳;谢毅 | 申请(专利权)人: | 苏州天脉导热科技股份有限公司 |
主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08L83/05;C08L83/04;C08K13/06;C08K9/06;C08K3/38;C08K7/26;C08K3/22;C08K3/36;C08J5/18;C09K5/14 |
代理公司: | 苏州睿昊知识产权代理事务所(普通合伙) 32277 | 代理人: | 陈蜜 |
地址: | 215127 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介电常数 导热 硅胶 及其 制备 方法 | ||
1.一种低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述低介电常数导热硅胶片的配方包括低介电常数导热粉体、乙烯基硅油、含氢硅油、硅橡胶补强剂、铂金催化剂、抑制剂和硅烷偶联剂;其中,所述低介电常数导热粉体占总质量的40%-90%,乙烯基硅油占总质量的4%-59%,含氢硅油占硅油总质量的0.4%-1%,硅橡胶补强剂占总质量的1%-4%,铂金催化剂占硅油总质量的0.2%-1%,抑制剂占硅油总质量的0.01%-0.03%,硅烷偶联剂占导热粉体总质量的0.1%-0.6%;所述低介电常数导热粉体的介电常数≤4。
2.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述低介电常数导热粉体包括以下粉体中的任意一种或几种的组合:
介电常数为3.1-3.5的氮化硼粉体、介电常数为3.2-3.6氢氧化铝粉体、介电常数小于3的硅微粉。
3.如权利要求2所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述氮化硼粉体的平均粒径为30-200um,优选为70-200um;所述氢氧化铝粉体的平均粒径为10-70um,优选为20-60um;所述硅微粉的平均粒径为0.4-20um,优选为1-20um。
4.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述硅烷偶联剂包括以下组分中的任意一种或几种的组合:KH560,KH570,KBM5210,KBM3103C,KBM3063。
5.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述乙烯基硅油的粘度为200-20000cps,所述含氢硅油的粘度为10-100cps。
6.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述抑制剂包括以下组分中的任意一种:
3-甲基-1-丁炔-3-醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷。
7.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述橡胶补强助剂包括硅树脂或/和白炭黑,其中所述硅树脂的粘度为4000-10000cps,所述白炭黑的比表面积为90-400m2/g。
8.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述铂金催化剂中铂金含量为1000-20000ppm。
9.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述低介电常数导热硅胶片在50Hz~8GHz内的介电常数小于4.0。
10.如权利要求1所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,所述低介电常数导热硅胶片的配方包括按重量份计的如下组分:
11.一种低介电常数导热硅胶片的制备方法,用于制备权利要求1-9任一项所述的低介电常数导热硅胶片,其特征在于,包括以下步骤:
S1.在100-180℃条件下,采用硅烷偶联剂对低介电常数导热粉体处理2~5小时;
S2.在50-100℃条件下,向处理好的粉体中加入乙烯基硅油,搅拌1-2小时;至均匀后,降至常温加入抑制剂、橡胶补强助剂、含氢硅油继续搅拌0.5-1.5小时;再加入铂金催化剂搅拌均匀,抽真空0.5-1.5小时;压制成所需厚度后,100-200℃固化,得到所述的低介电常数导热硅胶片。
12.如权利要求11所述的低介电常数导热硅胶片的制备方法,其特征在于,步骤S1中,使用捏合机、行星搅拌机、动力混合机、高速分散机或均质机对低介电常数导热粉体进行处理。
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