[发明专利]一种低介电常数导热硅胶片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种低介电常数导热硅胶片，包括低介电常数导热粉体、乙烯基硅油、含氢硅油、硅橡胶补强剂、铂金催化剂、抑制剂和硅烷偶联剂；其中，所述低介电常数导热粉体占总质量的40％‑90％，乙烯基硅油占总质量的4％‑59％，含氢硅油占硅油总质量的0.4％‑1％，硅橡胶补强剂占总质量的1％‑4％，铂金催化剂占硅油总质量的0.2％‑1％，抑制剂占硅油总质量的0.01％‑0.03％，硅烷偶联剂占导热粉体总质量的0.1％‑0.6％；所述低介电常数导热粉体的介电常数≤4。本发明还公开了所述低介电常数导热硅胶片的制备方法。本发明的低介电常数导热硅胶片，不但具有普通导热片导热系数高、硬度低、绝缘强度高的特点，可用于热界面填充，还具有普通导热片所不具有的对信号的低干扰性。

技术领域

本发明涉及导热界面材料技术领域，具体涉及一种低介电常数导热硅胶片及其制备方法。

背景技术

随着电子产品的小型化及性能的不断提高，其电子元器件也越来越密集，信号的发射与收取、屏蔽与增强也显得尤为重要。

为解决电子产品的散热问题，通常会采用导热硅胶片、散热膏、导热胶等等材料来进行界面填充，以便热量的及时传导，这些热界面材料中通常会采用氧化铝、氮化铝、氧化镁、氧化锌等等，甚至会用到碳纤维、石墨烯，以及这些材料搭配氮化硼、氢氧化铝、二氧化硅进行填充，都起到了一定的散热效果，提高了电子产品的寿命，但这些材料除氮化硼、氢氧化铝、二氧化硅外介电常数都很高，在信号传输时会早成信号干扰，为了解决这个问题，又要在导热片之外采用电磁屏蔽、电磁吸收的材料以及一些同时兼具导热和电磁波吸收的材料来对信号进行处理，为电子产品的设计带来不便。目前，行业内对于导热片对信号的干扰并没有进行过深入的研究。

现有技术中，中国专利文献CN 103980664 B公开了一种低介电常数和低损耗的聚合物电介质及其制备方法，该方法氮化硼纳米管和氮化硼纳米片的混合物与环氧树脂体系混合而成。该方法具有较高的导热系数，但工艺复杂，很难实现工业化生产，并且环氧体系固化硬度高，不适合做热界面填充材料用等特性，再者该方法的介电常数依旧大于4.0，无法满足低介电常数的要求。中国专利文献CN 109721750 A则公开了一种低介电常数纳米芳纶/氮化硼导热薄膜及其制备方法，该方法获得的材料具有较低的介电常数，但导热系数较低，硬度高，无法应用于芯片等的高功率散热元器件，更无法对电子元器件之间进行填隙。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种低介电常数导热硅胶片，该导热硅胶片不但具有普通导热片导热系数高、硬度低、绝缘强度高的特点，可用于热界面填充，还具有普通导热片所不具有的对信号的低干扰性。

为了解决上述技术问题，本发明第一方面提供了一种低介电常数导热硅胶片，该低介电常数导热硅胶片的配方包括低介电常数导热粉体、乙烯基硅油、含氢硅油、硅橡胶补强剂、铂金催化剂、抑制剂和硅烷偶联剂；其中，所述低介电常数导热粉体占总质量的40％-90％，乙烯基硅油占总质量的4％-59％，含氢硅油占硅油总质量的0.4％-1％，硅橡胶补强剂占总质量的1％-4％，铂金催化剂占硅油总质量的0.2％-1％，抑制剂占硅油总质量的0.01％-0.03％，硅烷偶联剂占导热粉体总质量的0.1％-0.6％；所述低介电常数导热粉体的介电常数≤4。

进一步地，所述低介电常数导热粉体包括以下粉体中的任意一种或几种的组合：介电常数为3.1-3.5的氮化硼粉体、介电常数为3.2-3.6的氢氧化铝粉体、介电常数为小于3的硅微粉。

进一步地，所述氮化硼粉体的平均粒径为30-200um，优选为70-200um；所述氢氧化铝粉体的平均粒径为10-70um，优选为20-60um；所述硅微粉的平均粒径为0.4-20um，优选为1-20um。

进一步地，所述偶联剂包括以下组分中的任意一种或几种的组合：KH560，KH570，KBM5210，KBM3103C，KBM3063。