[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成伪栅结构；

在所述伪栅结构的侧壁形成侧墙层；

在所述基底上形成覆盖所述侧墙层侧壁的层间介质层；

去除部分高度的所述伪栅结构和侧墙层，使所述层间介质层与剩余的所述伪栅结构和侧墙层围成凹槽；

在所述凹槽的侧壁形成覆盖所述侧墙层顶面的保护层；

去除剩余的所述伪栅结构，使所述保护层、侧墙层与所述基底围成栅极开口；

在所述栅极开口中形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：形成保形覆盖所述凹槽底部和侧壁、以及所述层间介质层顶面的衬垫层；

去除位于所述凹槽底部和层间介质层顶面的衬垫层，位于所述凹槽侧壁的衬垫层用于作为所述保护层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述凹槽底部和层间介质层顶面的衬垫层的步骤包括进行一次或多次的改性去除处理，所述改性去除处理包括：对位于所述凹槽底部和层间介质层顶面的衬垫层进行改性处理，适于减小所述衬垫层的耐刻蚀度；去除改性处理后的衬垫层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行所述改性处理的步骤包括：对位于所述凹槽底部和层间介质层顶面的衬垫层进行等离子体处理。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬垫层的材料包括氮化硅，所述等离子体处理采用的离子包括氢离子或氦离子；

或者，所述衬垫层的材料包括碳化硅，所述等离子体处理采用的离子包括氮离子。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬垫层的材料为氮化硅，所述等离子体处理采用的离子包括氢离子或氦离子；

所述等离子体处理的参数包括：偏置电压为10V至500V。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性去除处理的时间为5秒至30秒。

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除改性处理后的衬垫层的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液包括氢氟酸溶液；

或者，去除改性处理后的衬垫层的工艺包括干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括CH₂F₂和C₄F₆。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙层为单层或多层结构，所述侧墙层的材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼和碳氮化硼中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分高度的所述伪栅结构和侧墙层的步骤包括：去除部分高度的伪栅结构，使所述侧墙层和剩余的伪栅结构围成初始凹槽；

去除所述初始凹槽的侧壁的所述侧墙层，使所述层间介质层、剩余的侧墙层顶部以及剩余的伪栅结构顶部围成所述凹槽。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性的干法刻蚀工艺，去除所述初始凹槽的侧壁的所述侧墙层。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除剩余的所述伪栅结构的工艺包括湿法刻蚀工艺。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述侧墙层后，形成所述层间介质层之前，在所述伪栅结构和侧墙层两侧的基底中形成源漏掺杂层；

形成所述层间介质层的步骤中，所述层间介质层覆盖所述源漏掺杂层。