[发明专利]一种SOT-MRAM的测试结构及其测试方法

权利要求书

1.一种SOT-MRAM的测试结构，其特征在于，包括：

n个首尾依次串联连接的自旋轨道矩磁存储位元，每个自旋轨道矩磁存储位元包括自旋轨道矩提供线、以及设置在所述自旋轨道矩提供线上的磁性隧道结；相邻的两个自旋轨道矩磁存储位元之间，其中一个自旋轨道矩磁存储位元中的磁性隧道结与另一个自旋轨道矩磁存储位元中的自旋轨道矩提供线连接；

用于激励n个磁性隧道结的激励电路；

用于测试所述n个磁性隧道结的电阻值的两个第一测试电极，所述两个第一测试电极分别与所述n个自旋轨道矩磁存储位元中位于首尾两端的两个自旋轨道矩磁存储位元连接；

其中，所述激励电路包括：

两个第二测试电极；每个自旋轨道矩提供线的两端分别与所述两个第二测试电极串联连接，且任意两个自旋轨道矩提供线之间并联连接；

串联在每个自旋轨道矩提供线两端且用于控制所述两个第二测试电极与每个自旋轨道矩提供线之间开路还是闭路的两个控制开关。

2.如权利要求1所述的SOT-MRAM的测试结构，其特征在于，每个控制开关具有两个接线端、以及控制所述两个接线端开路或闭路的控制端；每个控制开关上的两个接线端中的一个接线端与对应的自旋轨道矩提供线连接，另一个接线端与对应的第二测试电极连接；且同一自旋轨道矩提供线上的两个控制开关的控制端串联连接；

所述测试结构还包括：m个第三测试电极，其中，m为大于0且小于或等于n的整数；每个第三测试电极至少与一个自旋轨道矩提供线上的两个控制开关的控制端连接，以控制所述控制开关开路或闭路；且每个自旋轨道矩提供线上的两个控制开关的控制端仅与一个第三测试电极连接。

3.如权利要求1或2所述的SOT-MRAM的测试结构，其特征在于，所述控制开关为N/PMOS管、BJT或IGBT。

4.如权利要求1所述的SOT-MRAM的测试结构，其特征在于，每个磁性隧道结包括：

设置在对应的自旋轨道矩提供线上的自由层；

设置在所述自由层上的隧道阻挡层；

以及设置在所述隧道阻挡层上的参考层，且所述自由层与所述参考层通过所述隧道阻挡层隔开；

相邻的两个自旋轨道矩磁存储位元之间，其中一个自旋轨道矩磁存储位元中磁性隧道结的参考层与另一个自旋轨道矩磁存储位元的自旋轨道矩提供线连接。

5.如权利要求1所述的SOT-MRAM的测试结构，其特征在于，还包括用于给所述n个磁性隧道结提供磁激励源的磁激励组件。

6.一种SOT-MRAM的测试结构，其特征在于，包括：

n个首尾依次串联连接的自旋轨道矩磁存储位元，每个自旋轨道矩磁存储位元包括自旋轨道矩提供线、以及设置在所述自旋轨道矩提供线上的磁性隧道结；相邻的两个自旋轨道矩磁存储位元之间，其中一个自旋轨道矩磁存储位元中的磁性隧道结与另一个自旋轨道矩磁存储位元中的自旋轨道矩提供线连接；任意相邻的两个自旋轨道矩磁存储位元之间，其中一个自旋轨道矩磁存储位元中的自旋轨道矩提供线与另一个自旋轨道矩磁存储位元中的自旋轨道矩提供线串联连接；

用于激励n个磁性隧道结的激励电路；

用于测试所述n个磁性隧道结的电阻值的两个第一测试电极，所述两个第一测试电极分别与所述n个自旋轨道矩磁存储位元中位于首尾两端的两个自旋轨道矩磁存储位元连接；所述两个第一测试电极还分别与所述n个自旋轨道矩提供线中位于首尾两端的两个自旋轨道矩提供线串联连接；

其中，所述激励电路包括：

设置在任意相邻的两个自旋轨道矩提供线之间且用于控制所述相邻的两个自旋轨道矩提供线开路还是闭路的控制开关。