[发明专利]一种快速烧结成型银基触头制备方法

说明书

本发明公开了一种快速烧结成型银基触头制备方法，主要包括以下步骤：S1：将碳化钨粉、银粉按所需要求制备的触头型号重量进行称得配比，碳化钨的含量在20～80wt％，其余为银；S2：将称量好的粉末，装入混料机中进行球磨，球磨混合后将混合粉装入石墨模具；S3：将石墨模具放入放电等离子体烧结设备中，预抽真空至10pa以下，进行加热、加压烧结；S4：将烧结制备的毛坯经过少量精加工，即可得到银碳化钨触头。本发明工艺过程简单，生产效率高，成本低，有利于银基触头的推广使用。

技术领域

本发明涉及贵金属材料制造技术领域，具体是涉及一种快速烧结成型银基触头制备方法。

背景技术

银的化学性质稳定，活跃性低，导热、导电性能好。碳化钨、钨具有优良的抗熔焊性，接触电阻低，耐电磨损性能高。因此，银碳化钨、银钨触头被广泛应用于电接触材料中。特别是在真空接触器、负荷开关中，要求几十万次的电寿命，因此需要较高的碳化钨或钨含量来保持电磨损，在中低压真空接触器和负荷中，银碳化钨、银钨触头由于具有优异的导电性能，更低的截流值(0.8A以下)，因此被应用在高端产品中，但由于贵金属Ag的价格居高不下，一直未被大量应用。

银的熔点与碳化钨、钨的熔点差异较大，因此只能采用熔渗法进行制备银碳化钨或银钨触头；在熔渗工艺中，为保证浸润充分性，需要过量的银含量，同时高温熔渗法银的挥发多，进一步造成了银碳化钨、银钨触头的成本增加，不能大范围的推广使用；碳化钨的熔点在2870度，钨的熔点在3410度，银熔点961度，银钨、银碳化钨两种材料熔点差异很大，为了获得高致密度、均匀的材料组织，制备银碳化钨、银钨触头目前普遍采用压制成型、真空熔渗法进行。该工艺的特点是可制备出碳化钨或钨含量高的银碳化钨或银钨触头，但是熔渗法制备的产品尺寸精度低，为保证熔渗充分，需要实际银含量的1～2倍银来熔渗，保证熔渗充分性；因此对贵金属银的浪费大，并且工艺过程时间长，生产效率低。

专利CN201410711779公布了一种银碳化钨触头材料的制备方法，该方法是将银粉与碳化钨粉沸合，再与镍球、水进行球磨，所得的粉末干燥、退火，压制成型、熔渗处理得到毛坯。与本专利相比，在工艺流程上有较大的区别，压型、熔渗方法均与本专利不同；

专利CN201410714850专利公布了一种银碳化钨镍触头材料及其制备方法，与上述专利相似，本专利不用添加第三元素镍，有利于提高材料导电率，并且混粉过程更简易，不用添加水来混合，无后续干燥、退火、成型等工序。可直接制备出致密度在97％以上银碳化钨触头毛坯，并且材料利用率高。

以上专利均是采用传统的熔渗法进行银碳化钨制备，为了改善银与碳化钨的浸润性，需要在混粉过程中添加少量镍粉，并对混合粉烘干、退火去应力、压制成型，这种传统方法生产工序长，过程复杂，并且熔渗过程中银的挥发大，制备出的毛坯加工余量大，贵金属银的浪费大，因此，针对现有制备方法的不足，提出的一种全新的银碳化钨、银钨触头制备方法。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种快速烧结成型银基触头制备方法。

本发明的技术方案是：一种快速烧结成型银基触头制备方法，主要包括以下步骤：

S1配料：将碳化钨粉、银粉按所需要求制备的触头型号重量进行称得配比，碳化钨的含量在20～80wt％，其余为银；

S2混粉：将称量好的粉末，装入混料机中进行球磨，球磨混合后将混合粉装入石墨模具；

S3烧结：将石墨模具放入放电等离子体烧结设备中，预抽真空至10pa以下，进行加热、加压烧结；

S4机加工：将烧结制备的毛坯经过少量精加工，即可得到银碳化钨触头。

进一步地，所述步骤S1中碳化钨粉的粒度在0.1～10μm，银粉粒度为1～50μm，纯度为99.5％以上。碳化钨粉与银粉的粒度限定在上述粒度区间可以保证所制备的银碳化钨触头满足银基触头使用的基础性能。