[发明专利]一种再生晶圆加工的处理装置在审

专利信息
申请号: 202010320790.7 申请日: 2020-04-22
公开(公告)号: CN111477570A 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 丁许 申请(专利权)人: 丁许
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 236800 安徽省亳州市经济开*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 再生 加工 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种再生晶圆加工的处理装置,包括底座(1),所述底座(1)的顶部固定有移动导轨(2),且移动导轨(2)的顶部连接有放置座(3),所述底座(1)中间位置的上方设置有喷淋机构,且底座(1)两侧位置的上方设置有吸盘取料机构,其特征在于,所述移动导轨(2)设置有两个分别位于底座(1)的两端,所述放置座(3)的顶部开设有圆柱状结构的收纳槽,收纳槽的底部开设有穿透的滑槽,且滑槽的内壁滑动连接有升降座(4),升降座(4)的顶部设置有吸盘机构,所述喷淋机构设置有与收纳槽内壁滑动连接的限位座(9),且限位座(9)顶部的中间位置连接有升降机构,所述限位座(9)内开设有注液腔,且注液腔的底部开设有多个喷孔(10),注液腔的顶部连接有注水管,所述限位座(9)的一侧固定有穿透的抽吸管(11),所述底座(1)顶部外壁的两侧均固定有竖直放置的气缸(6),且底座(1)顶部外壁的中间位置固定有支撑台(7)。

2.根据权利要求1所述的一种再生晶圆加工的处理装置,其特征在于,所述升降座(4)的顶部固定有多组凸块(16),且每组凸块(16)设置成环形阵列分布,多组凸块(16)构成的环形内径依次增加。

3.根据权利要求2所述的一种再生晶圆加工的处理装置,其特征在于,所述凸块(16)的内壁和外壁均设置成弧形结构,且凸块(16)的顶端宽度小于其底端宽度。

4.根据权利要求2或3所述的一种再生晶圆加工的处理装置,其特征在于,所述升降座(4)底部的两侧均固定有定位管(12),且两个定位管(12)的底端之间固定有水平放置的连接板(13),连接板(13)外壁的两端均固定有限位块(5),底座(1)顶部的两端均固定有限位架(14),限位块(5)的底部与限位架(14)的顶部滑动连接,限位架(14)顶部与支撑台(7)对应的位置固定有电磁铁,电磁铁与限位块(5)之间磁性吸附。

5.根据权利要求4所述的一种再生晶圆加工的处理装置,其特征在于,所述气缸(6)和支撑台(7)的顶部均固定有连接座(8),且连接座(8)顶部的中间位置开设有安装槽,安装槽的内壁固定有电磁块(15),电磁块(15)与连接板(13)之间磁性吸附。

6.根据权利要求4所述的一种再生晶圆加工的处理装置,其特征在于,所述凸块(16)的顶部开设有气孔(18),且升降座(4)内的中间位置开设有流通腔,流通腔的顶部与气孔(18)连通,流通腔侧壁的顶端与定位管(12)顶端之间连通,定位管(12)的外壁固定有电磁阀,连接板(13)底部与定位管(12)对应的位置开设有穿孔,位于支撑台(7)顶部的连接座(8)两侧均开设有与穿孔对应位置的风孔(17),支撑台(7)的内部固定有风机,风机通过风管与两个风孔(17)连接。

7.根据权利要求6所述的一种再生晶圆加工的处理装置,其特征在于,所述风孔(17)设置成圆台状结构,且风孔(17)的顶端内径大于其底端内径,风孔(17)的顶端内径大于对应位置穿孔的内径。

8.根据权利要求1所述的一种再生晶圆加工的处理装置,其特征在于,所述抽吸管(11)内壁的底部滑动连接有延伸管(19)。

9.根据权利要求8所述的一种再生晶圆加工的处理装置,其特征在于,所述延伸管(19)设置成网筒状结构,且延伸管(19)的底端固定有辅助板(20),辅助板(20)的顶部与抽吸管(11)的底端之间连接有弹簧(21),弹簧(21)滑动套设于延伸管(19)的外部,辅助板(20)设置成网板状结构。

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