[发明专利]一种再生晶圆加工的处理装置

说明书

本发明属于再生晶圆技术领域，尤其是一种再生晶圆加工的处理装置，针对再生晶圆加工过程中的去除作业会污染周围设备且效果差的问题，现提出以下方案，包括底座，所述底座的顶部固定有移动导轨，且移动导轨的顶部连接有放置座，所述底座中间位置的上方设置有喷淋机构，且底座两侧位置的上方设置有吸盘取料机构，所述移动导轨设置有两个分别位于底座的两端，所述放置座的顶部开设有圆柱状结构的收纳槽。本发明中，使晶圆在收纳槽内完成表面薄膜、金属和污物的去除作业，避免清洗液溅射至外部造成其它部件的污染，利用抽吸管将清洗液抽回集中处理避免造成资源浪费，通过喷孔和抽吸管使收纳槽内清洗液循环流通而提高冲洗效果。

技术领域

本发明涉及再生晶圆技术领域，尤其涉及一种再生晶圆加工的处理装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品，晶圆生产加工过程中常会制作出不符合规格的成品无法直接使用，将已加工过晶圆片表面的薄膜、金属及污染物去除即生成再生晶圆。

由于晶圆体积小，在对再生晶圆进行去除处理的过程中，若是直接将晶圆投入清洗液中清洗会难以进行后续的收集且易对晶圆造成损坏，现有技术中针对再生晶圆的去除处理，一般通过吸盘取料机构将单个晶圆依次送至输送座上，使单个晶圆依次经过处理工位，通过向晶圆表面喷淋清洗液进行薄膜、金属及污染物的去除作业，但是往往直接对平面上的晶圆冲洗，会使清洗液向周围流散，造成资源浪费的同时，会污染其它设备且对晶圆表面的去除效果差。

发明内容

基于再生晶圆加工过程中的去除作业会污染周围设备且效果差的技术问题，本发明提出了一种再生晶圆加工的处理装置。

本发明提出的一种再生晶圆加工的处理装置，包括底座，所述底座的顶部固定有移动导轨，且移动导轨的顶部连接有放置座，所述底座中间位置的上方设置有喷淋机构，且底座两侧位置的上方设置有吸盘取料机构，所述移动导轨设置有两个分别位于底座的两端，所述放置座的顶部开设有圆柱状结构的收纳槽，收纳槽的底部开设有穿透的滑槽，且滑槽的内壁滑动连接有升降座，升降座的顶部设置有吸盘机构，所述喷淋机构设置有与收纳槽内壁滑动连接的限位座，且限位座顶部的中间位置连接有升降机构，所述限位座内开设有注液腔，且注液腔的底部开设有多个喷孔，注液腔的顶部连接有注水管，所述限位座的一侧固定有穿透的抽吸管，所述底座顶部外壁的两侧均固定有竖直放置的气缸，且底座顶部外壁的中间位置固定有支撑台。

优选地，所述升降座的顶部固定有多组凸块，且每组凸块设置成环形阵列分布，多组凸块构成的环形内径依次增加。

优选地，所述凸块的内壁和外壁均设置成弧形结构，且凸块的顶端宽度小于其底端宽度。

优选地，所述升降座底部的两侧均固定有定位管，且两个定位管的底端之间固定有水平放置的连接板，连接板外壁的两端均固定有限位块，底座顶部的两端均固定有限位架，限位块的底部与限位架的顶部滑动连接，限位架顶部与支撑台对应的位置固定有电磁铁，电磁铁与限位块之间磁性吸附。

优选地，所述气缸和支撑台的顶部均固定有连接座，且连接座顶部的中间位置开设有安装槽，安装槽的内壁固定有电磁块，电磁块与连接板之间磁性吸附。

优选地，所述凸块的顶部开设有气孔，且升降座内的中间位置开设有流通腔，流通腔的顶部与气孔连通，流通腔侧壁的顶端与定位管顶端之间连通，定位管的外壁固定有电磁阀，连接板底部与定位管对应的位置开设有穿孔，位于支撑台顶部的连接座两侧均开设有与穿孔对应位置的风孔，支撑台的内部固定有风机，风机通过风管与两个风孔连接。

优选地，所述风孔设置成圆台状结构，且风孔的顶端内径大于其底端内径，风孔的顶端内径大于对应位置穿孔的内径。

优选地，所述抽吸管内壁的底部滑动连接有延伸管。