[发明专利]储存测试图案信息的存储模块、包括其的计算机系统及其测试方法在审
申请号: | 202010320795.X | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN112233719A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 吴知赫;姜志锡;郑俊镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C29/36 | 分类号: | G11C29/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 储存 测试 图案 信息 存储 模块 包括 计算机系统 及其 方法 | ||
一种存储模块,包括:至少一个半导体存储装置;以及测试图案存储器,其储存用于测试至少一个半导体存储装置的第一测试图案信息,并且储存在测试图案存储器中的第一测试图案信息在测试操作中被传送至主机。通过具有上述功能的存储模块,考虑到存储模块的独特的弱特性,能够进行存储测试。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年7月15日提交的第10-2019-0085208号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容全部通过引用并入本文。
背景技术
本文中描述的发明构思的示例性实施例涉及半导体存储装置。例如,至少一些示例性实施例涉及储存测试图案信息的存储模块、包括该存储模块的计算机系统和/或其测试方法。
半导体存储装置可以分类为易失性存储装置或非易失性存储装置,在易失性存储装置中,当电源关闭时所存储的数据消失,易失性存储装置诸如静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM),在非易失性存储装置中,即使电源关闭也能保留存储在其中的数据,非易失性存储装置诸如闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM)。
DRAM用作诸如移动装置和服务器以及个人计算机之类的各种系统中的主存储器。随着对高集成度和高容量的需求,通过纳米级制造技术来制造DRAM。由此,在制造DRAM的过程中执行的测试操作逐渐变得复杂。此外,即使DRAM通过了在制造期间执行的测试操作,此后在将DRAM提供给任何其他制造商的情况下仍可能发生缺陷。随着通过纳米级制造技术制造的DRAM的增加,在测试操作之后出现的有缺陷产品的数量正在增加。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供了一种存储模块、包括该存储模块的计算机系统和/或其测试方法,该存储模块储存测试图案信息以使得基于DRAM特性的测试成为可能。
根据示例性实施例,一种存储模块包括:至少一个半导体存储装置;以及测试图案存储器,被配置为储存用于测试至少一个半导体存储装置的第一测试图案信息,并且在测试操作中将第一测试图案信息传送至主机。
根据示例性实施例,一种测试存储模块的方法包括:读取储存在存储模块中的测试图案参数;基于从存储模块读取的测试图案参数来生成测试图案;以及基于测试图案测试存储模块。
根据示例性实施例,一种计算机系统包括:包括至少一个半导体存储装置和测试图案存储器的存储模块,测试图案存储器被配置为储存包括与至少一个半导体存储装置相关联的弱信息的测试图案参数;以及主机装置,被配置为基于从存储模块读取的测试图案参数生成测试图案,该测试图案用于测试存储模块。
附图说明
通过参考附图详细描述一些示例性实施例,本发明构思的以上和其他目的和特征将变得显而易见。
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的计算机系统的框图。
图2A至图2C是示出本发明构思的存储模块的示例的框图。
图3是简要示出图1的多个存储装置之一的框图。
图4是示出测试图3的单元阵列的方法的示例的图。
图5是示出用于执行图4中执行的压力测试的测试图案参数TPP的表。
图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的方法的框图,在该方法中,主机装置生成测试图案TP。
图7是简要示出在BIOS级别执行的本发明构思的测试过程的图。
图8是简要示出根据本发明构思的另一示例性实施例的在BIOS级别执行的测试过程的图。
图9是示出根据本发明构思的另一示例性实施例的包括存储模块的计算机系统的框图。
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