[发明专利]一种改善IGBT芯片拖尾电流的工艺在审
| 申请号： | 202010321408.4 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111463121A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘锋杰;李守亮;李向坤;刘星义;刘传利;王琪;徐金金 | 申请（专利权）人： | 科达半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 | 代理人： | 郑向群 |
| 地址： | 257091 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 igbt 芯片 电流 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善IGBT芯片拖尾电流的工艺，所述的IGBT为绝缘栅双极型晶体管，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成，其特征在于：将背面的硼离子注入工艺由BORON30Kev5E14调至BORON 10Kev5E14+50Kev5E12，由单次注入工艺调为双次注入。
2.根据权利要求1所述的一种改善IGBT芯片拖尾电流的工艺，其特征在于：所述的IGBT芯片的动态测试上表现为通过动态测试系统和示波器测试所得拖尾电流减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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