[发明专利]一种改善IGBT芯片拖尾电流的工艺在审
| 申请号： | 202010321408.4 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111463121A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘锋杰;李守亮;李向坤;刘星义;刘传利;王琪;徐金金 | 申请（专利权）人： | 科达半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 | 代理人： | 郑向群 |
| 地址： | 257091 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 igbt 芯片 电流 工艺 | ||
本发明提供一种改善IGBT芯片拖尾电流的工艺，其中将背面的硼离子注入工艺由BORON 30Kev5E14调至BORON 10Kev5E14+50Kev5E12，由单次注入工艺调为双次注入；优点为：本发明改善IGBT芯片拖尾电流，降低电流关断时间，有效提升开关频率，降低开关功耗。
技术领域
本发明涉及工控领域IGBT芯片，尤其是涉及一种改善IGBT芯片拖尾电流的工艺。
背景技术
目前市场上工控领域用IGBT芯片一直在致力于研究开关功耗，现有的IGBT芯片的开关功耗高，使得芯片温度高，从而降低了芯片的使用寿命。
发明内容
本发明的目的在于为解决现有技术的不足，而提供一种改善IGBT芯片拖尾电流的工艺。
本发明新的技术方案是：一种改善IGBT芯片拖尾电流的工艺，所述的IGBT为绝缘栅双极型晶体管，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成，将背面的硼离子注入工艺由BORON 30Kev5E14调至BORON 10Kev5E14+50Kev5E12，由单次注入工艺调为双次注入。
所述的IGBT芯片的动态测试上表现为通过动态测试系统和示波器测试所得拖尾电流减小。
本发明的有益效果为：本发明改善IGBT芯片拖尾电流，降低电流关断时间，有效提升开关频率，降低开关功耗。
附图说明
图1为本发明的动态测试对比图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
一种改善IGBT芯片拖尾电流的工艺，所述的IGBT为绝缘栅双极型晶体管，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成，将背面的硼离子注入工艺由BORON 30Kev5E14调至BORON 10Kev5E14+50Kev5E12，由单次注入工艺调为双次注入。
所述的IGBT芯片的动态测试上表现为通过动态测试系统和示波器测试所得拖尾电流减小。
通过动态测试系统和示波器测试所得动态测试系统见图1。
示波器测试：工艺调整后的拖尾电流明显减小。
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