[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底；

多个节点接触结构，从所述衬底上向上延伸；

多个第一开口，位于相邻的节点接触结构之间以电性隔离所述节点接触结构；

绝缘图案，位于所述第一开口，所述绝缘图案至少覆盖所述第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，所述绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部；以及，

电容结构，位于所述节点接触结构上并电性连接所述节点接触结构；

所述绝缘图案的材料为氮化物、碳化物或氧化物。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电容结构包括：

金属氧化物层，至少部分位于所述绝缘图案上。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述金属氧化物层遮盖所述凹陷部的开口以形成气隙；或者，所述金属氧化物层填充部分深度的凹陷部以形成气隙。

4.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述金属氧化物层完全填充所述凹陷部。

5.如权利要求1-4中任一项所述的存储器，其特征在于，所述绝缘图案还延伸至覆盖部分节点接触结构的顶部。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，以所述第一开口的底部的高度位置为界限将所述节点接触结构分为上节点接触部和下节点接触部，在垂直于高度方向上，所述上节点接触部的最大宽度尺寸大于所述下节点接触部的最大宽度尺寸。

7.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

形成多个节点接触结构于所述衬底上，所述节点接触结构从所述衬底上向上延伸；

形成多个第一开口于相邻的节点接触结构之间，所述第一开口电性隔离所述节点接触结构；

形成绝缘图案于所述第一开口，所述绝缘图案至少覆盖所述第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，所述绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部；以及，

形成电容结构于所述节点接触结构上，并使所述电容结构电性连接所述节点接触结构。

8.如权利要求7所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成所述绝缘图案的步骤包括：

形成绝缘材料层于所述节点接触结构上，所述绝缘材料层覆盖所述节点接触结构并至少覆盖所述第一开口的侧壁，所述绝缘材料层的上表面对应所述第一开口的部分往所述第一开口中凹陷以形成所述凹陷部；

形成堆叠材料层于所述绝缘材料层上；以及，

刻蚀所述堆叠材料层以形成多个与所述节点接触结构对应的第二开口，所述第二开口的底部露出对应的节点接触结构的至少部分顶部，剩余的所述绝缘材料层构成多个所述绝缘图案。

9.如权利要求8所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成电容结构于每个所述节点接触结构上的步骤至少包括：

形成电容结构于所述第二开口中，所述电容结构的底部与所述节点接触结构露出的顶部电性连接，其中，所述电容结构的金属氧化物层至少部分位于所述绝缘图案上。

10.如权利要求9所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述金属氧化物层遮盖所述凹陷部的开口以形成气隙；或者，所述金属氧化物层填充部分深度的凹陷部以形成气隙；或者，所述金属氧化物层完全填充所述凹陷部。