[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明提供了一种存储器及其形成方法，绝缘图案至少覆盖间隔节点接触结构的第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部，使得通过一层膜层即可替代现有的两个膜层构成的绝缘图案，从而省略了现有技术中研磨去除部分厚度的绝缘材料层以及重新形成掩模材料层的步骤，简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且由于形成电容结构时通常会采用到多次研磨工艺使得衬底的表面平坦化，所以即使绝缘图案的表面不平整也不会对存储器的性能产生影响。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。所述存储器具有多条字线结构和位线结构，字线结构埋入在衬底中，位线结构形成在衬底上且与相应的存储单元电性连接，并且所述存储器还包括电容结构，所述电容结构用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储单元可通过一节点接触结构电性连接所述电容结构，从而实现各个存储单元的存储功能。

图1a～图1e为现有的一种存储器的形成方法形成的结构示意图。参阅图1a～图1d，有的存储器的形成方法包括：如图1a所示，在衬底100’上形成位线结构200’之后，形成覆盖衬底100’及位线结构200’的导电材料层300’。然后如图1b所示，刻蚀所述导电材料层300’以及位线结构200’的部分高度，形成第一开口300a’，所述第一开口300a’将剩余的导电材料层300’间隔为多个节点接触结构300b’。然后如图1c所示，在多个节点接触结构300b’上形成绝缘材料层410’，所述绝缘材料层410’还填充所述第一开口300a’。此时由于所述绝缘材料层410’的上表面可能不平整，如图1d所示，需要先研磨所述绝缘材料层410’直至去除所述节点接触结构300b’的上表面的绝缘材料层410’以使绝缘材料层410’以及所述节点接触结构300b’的上表面平整。然后如图1e所示，在绝缘材料层410’上顺次形成掩模材料层420’以及堆叠材料层500’，最后刻蚀堆叠材料层500’及掩模材料层420’形成第二开口501a’，使得所述第二开口501a’露出所述节点接触结构300b’，在后续步骤中可以在第二开口501a’中形成电容结构的下电极。此时，剩余的绝缘材料层410’和掩模材料层420’构成多个绝缘图案400’。这里的每个绝缘图案400’均包括两个膜层(堆叠的绝缘材料层410’和掩模材料层420’)，两个膜层在后续步骤中起到的作用实际上是相同的，所以采用两个膜层构成绝缘图案400’导致存储器的制备工艺的难度和复杂度增加，降低了制备效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器及其形成方法，在不影响存储器性能的情况下简化存储器的形成工艺。

为了达到上述目的，本发明提供了一种存储器，包括：

衬底；

多个节点接触结构，从所述衬底上向上延伸；

多个第一开口，位于相邻的节点接触结构之间以电性隔离所述节点接触结构；

绝缘图案，位于所述第一开口，所述绝缘图案至少覆盖所述第一开口的侧壁并向上延伸至高于所述节点接触结构，所述绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部；以及，

电容结构，位于所述节点接触结构上并电性连接所述节点接触结构。

可选的，所述电容结构包括：

金属氧化物层，至少部分位于所述绝缘图案上。

可选的，所述金属氧化物层遮盖所述凹陷部的开口以形成气隙；或者，所述金属氧化物层填充部分深度的凹陷部以形成气隙。

可选的，所述金属氧化物层完全填充所述凹陷部。

可选的，所述绝缘图案还延伸至覆盖部分节点接触结构的顶部。