[发明专利]一种蒸发镀膜制作装置及制作蒸发镀膜的方法在审

专利信息
申请号: 202010323641.6 申请日: 2020-04-22
公开(公告)号: CN111394700A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 胡茂横 申请(专利权)人: 深圳恒泰克科技有限公司
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30;C23C14/50;C23C14/54
代理公司: 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 代理人: 宋鹏跃;彭涛
地址: 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 蒸发 镀膜 制作 装置 方法
【说明书】:

发明公开了一种蒸发镀膜制作装置及制作蒸发镀膜的方法,包括真空腔、转盘、两基片、两挡板、转轴、蒸发中心平面;所述转盘内设在真空腔内,且转轴一端与转盘连接,转轴的另一端贯穿至真空腔外;所述两基片分别设在转盘的两侧,且所述其中一基片下设挡板;所述蒸发中心平面对应转盘内设在真空腔内。

技术领域

本发明涉及蒸发镀膜技术领域,具体为一种蒸发镀膜制作装置及制作蒸发镀膜的方法。

背景技术

以往对于电子束蒸发镀膜人们也采用挡板来修正其均匀性,但往往是采用按照测试膜厚值来估计和制作挡板形状,安装后根据测试所得的偏差再进行修正,再使用镀膜、测试、再修正……的办法,不光耗时耗力,也始终达不到高的均匀性和精度。

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本发明提供了一种蒸发镀膜制作装置及制作蒸发镀膜的方法,具有镀膜厚度相同、匀性、挡板修正精准、结构简单优点。

(二)技术方案

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种蒸发镀膜制作装置包括,真空腔、转盘、两基片、两挡板、转轴、蒸发中心平面;所述转盘内设在真空腔内,且转轴一端与转盘连接,转轴的另一端贯穿至真空腔外;所述两基片分别设在转盘的两侧,且所述其中一基片下设挡板;所述蒸发中心平面对应转盘内设在真空腔内,在所述蒸发中心平面中设有蒸发装置、电子束发射装置,所述蒸发装置、电子束发射装置分别对应挡板设置。

优选的,所述蒸发装置设为坩埚,且坩埚用于放置镀膜材料;所述电子束发射装置设为电子枪。

基于蒸发镀膜制作装置的蒸发镀膜制作方法,其具体步骤如下:

S1;建立在真空环境中,且真空度在1x 10-5mbr以上的电子束蒸发镀膜的数学公式

其中:T——一定时间内蒸发点上方基片上某点的成膜厚度nm

K——与蒸发材料,蒸发参数有关的常数

α——蒸发点与成膜点空间连线与蒸发中心垂直法线的夹角

L——蒸发点与成膜点空间连线的长度cm

n——余弦指数,因蒸发材料,蒸发控制参数而不同,由厚度实验及拟合测得;

S2;为使基片上各点的膜厚相同,制作一块挡板,以挡住多余的膜材料,使得基片上不论离转轴的旋转中心远近都有相同的膜厚度;

其中基片是在旋转的,所以等半径的环带上的膜厚是相同的,也即在

R半径环带上任意点的膜厚TR

其中α是R与β的函数。

另外在距旋转中心最远的环带是膜最薄的地方,在设定最薄环带的膜厚为Tmin,则需要再设置挡板,使得挡板挡住多余的膜后,任一点的膜厚都等于Tmin。即

TR=Tmin R=0-Rmax

优选的,所述制作蒸发镀膜的方法还包括步骤S3计算TR,在设定Rmax=60,R0=30cm,转盘高度H=63.5cm时,N=R cosβ,M=R sinβ,D=R0-N,

优选的,所述制作蒸发镀膜的方法还包括步骤S4制作excel表格,横向单位为任意点距旋转中心的半径R,纵向单位为旋转中心与蒸发装置中间位置的蒸发中心法线,与该点在蒸发平面投影点与旋转中心之间的夹角β;

其中:计算N,M的长度:N=R cosβ,M=Rsinβ;

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