[发明专利]一种电源防反接方法及电源防反接电路在审
申请号: | 202010326351.7 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111416333A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 文武;张勇 | 申请(专利权)人: | 长沙德壹科技有限公司 |
主分类号: | H02H11/00 | 分类号: | H02H11/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘奕 |
地址: | 410100 湖南省长沙市长沙经济技术开发区星沙产业基地凉*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电源 反接 方法 电路 | ||
1.一种电源防反接电路,其特征在于,包括:
供电单元、MOS管防反接单元、驱动单元及电源管理单元;
所述供电单元与所述MOS管防反接单元连接,所述MOS管防反接单元与所述电源管理单元的电源输入端连接,所述驱动单元与所述MOS管防反接单元及所述电源管理单元的信号输出端连接;
所述MOS管防反接单元,用于当所述供电单元正负极连接正确时,建立所述供电单元和所述电源管理单元的供电路径;
所述电源管理单元,用于当所述MOS管防反接单元为线性导通状态时,将用于稳压的调制信号发送到所述驱动单元;
所述驱动单元,用于根据所述调制信号生成调节电压,根据所述调节电压驱动所述MOS管防反接单元,使得所述MOS管防反接单元变为完全导通状态。
2.根据权利要求1所述的电源防反接电路,其特征在于,所述MOS管防反接单元为PMOS管,
所述PMOS管的漏极与所述供电单元的正极连接;
所述PMOS管的源极与所述电源管单元的电源输入端连接;
所述PMOS管的栅极与所述驱动单元连接;
所述PMOS管的栅极通过电阻与所述供电单元的负极连接。
3.根据权利要求2所述的电源防反接电路,其特征在于,
所述驱动单元,用于当所述MOS管防反接单元为PMOS管时,根据所述调制信号生成调节电压,所述调节电压为负电压;
所述驱动单元,用于将所述调节电压施加到所述PMOS管的栅极,使得所述PMOS管变为完全导通状态。
4.根据权利要求3所述的电源防反接电路,其特征在于,
所述调制信号为脉冲宽度调制PWM信号,
所述驱动单元包括:第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管;
所述第一电容的一端与所述电源管理单元的信号输出端连接,所述第一电容的另一端、所述第一二极管的正极及所述第二二极管的负极相连接;
所述第二电容的一端及所述第一二极管的负极接地GND;
所述MOS管防反接单元为PMOS管时,所述第二电容的另一端及所述第二二极管的正极与所述PMOS管的栅极连接。
5.根据权利要求1所述的电源防反接电路,其特征在于,所述MOS管防反接单元为NMOS管,
所述NMOS管的漏极与所述供电单元的负极连接;
所述NMOS管的源极与所述电源管单元的电源输入端连接;
所述NMOS管的栅极与所述驱动单元连接;
所述NMOS管的栅极通过电阻与所述供电单元的正极连接。
6.根据权利要求5所述的电源防反接电路,其特征在于,
所述驱动单元,用于当所述MOS管防反接单元为NMOS管时,根据所述调制信号生成调节电压,所述调节电压为正电压;
所述驱动单元,用于将所述调节电压施加到所述NMOS管的栅极,使得所述NMOS管变为完全导通状态。
7.根据权利要求6所述的电源防反接电路,其特征在于,所述调制信号为脉冲宽度调制PWM信号,
所述驱动单元包括:第三电容、第四电容、第三二极管、第四二极管;
所述第三电容的一端与所述电源管理单元的信号输出端连接,所述第三电容的另一端、所述第三二极管的正极及所述第四二极管的负极相连接;
所述第四电容的一端及所述第四二极管的正极连接电压VCC;
所述MOS管防反接单元为NMOS管时,所述第四电容的另一端及所述第三二极管的负极与所述NMOS管的栅极连接。
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