[发明专利]一种电源防反接方法及电源防反接电路

说明书

本发明公开了一种电源防反接方法及电源防反接电路，可以在供电电压过低时降低导通压降。电源防反接电路，包括：供电单元、MOS管防反接单元、驱动单元及电源管理单元；供电单元与MOS管防反接单元连接，MOS管防反接单元与电源管理单元的电源输入端连接，驱动单元与MOS管防反接单元及电源管理单元的信号输出端连接；MOS管防反接单元，用于当供电单元正负极连接正确时，建立供电单元和电源管理单元的供电路径；电源管理单元，用于当MOS管防反接单元为线性导通状态时，将用于稳压的调制信号发送到驱动单元；驱动单元，用于根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元，使得MOS管防反接单元变为完全导通状态。

技术领域

本发明涉及电源电路技术领域，特别是涉及一种电源防反接方法及电源防反接电路。

背景技术

电源的输入部分，为了防止误操作，将电池的正负极接反，对电路造成损坏，一般会对其进行防护，如采用保险丝、二极管、场效应管(MOS)等方式。

现有的二极管防反接电路方式，缺点在于：二极管导通后有0.3-1V的压降，对于单节电池供电的场合，压降过大，损耗也大。例如：采用单节碱性(1.5V)或者镍镉、镍氢电池(1.2V)供电时，通过二极管(肖特基)以后，电池电压通常会下降到0.9-1.2V，这样容易导致电源管理电路(如升压电路)的成本过高，或者无法达到最佳的性能。

现有的MOS管防反接电路方式，MOS管在理想的栅源电压Vgs电压下，是处于完全导通状态，导通电阻往往只有几mΩ到几十mΩ，这样整流电路的上的压降相比于二极管会低得多。但是，MOS管的理想的Vgs通常在-4.5V(PMOS)或者更高，MOS管的Vgs就等于电池电压，当电池电压低于2V时，MOS管将会处于线性导通状态，导通电阻会明显上升，而当Vgs小于1.2V时，MOS管的导通电阻会成指数增加，使得导通压降增大，在单节电池的使用环境中效果不理想。

发明内容

本发明的目的是提供一种电源防反接方法及电源防反接电路，可以在供电电压过低时降低导通压降。

本发明第一方面提供一种电源防反接电路，包括：

供电单元、MOS管防反接单元、驱动单元及电源管理单元；

供电单元与MOS管防反接单元连接，MOS管防反接单元与电源管理单元的电源输入端连接，驱动单元与MOS管防反接单元及电源管理单元的信号输出端连接；

MOS管防反接单元，用于当供电单元正负极连接正确时，建立供电单元和电源管理单元的供电路径；

电源管理单元，用于当MOS管防反接单元为线性导通状态时，将用于稳压的调制信号发送到驱动单元；

驱动单元，用于根据调制信号生成调节电压，根据调节电压驱动MOS管防反接单元，使得MOS管防反接单元变为完全导通状态。

进一步的，MOS管防反接单元为PMOS管，

PMOS管的漏极与供电单元的正极连接；

PMOS管的源极与电源管单元的电源输入端连接；

PMOS管的栅极与驱动单元连接；

PMOS管的栅极通过电阻与供电单元的负极连接。

进一步的，

驱动单元，用于当MOS管防反接单元为PMOS管时，根据调制信号生成调节电压，调节电压为负电压；

驱动单元，用于将调节电压施加到PMOS管的栅极，使得PMOS管变为完全导通状态。

进一步的，

调制信号为脉冲宽度调制PWM信号，