[发明专利]OLED背板弯折区、背板的制作方法、OLED背板以及OLED面板在审
申请号: | 202010328035.3 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111490056A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 姜龙;宋亮;赵吾阳;欧飞;彭军;廖鹏宇;李佳成;季雨菲;程浩;何小丽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 背板 弯折区 制作方法 以及 面板 | ||
1.一种OLED背板弯折区的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
在柔性基底上形成有源区、栅极绝缘层、栅极和层间介电层;
在层间介电层上形成第一光刻胶层并图案化,露出待形成弯折区对应的层间介电层表面;
对露出的层间介电层进行第一刻蚀,形成凹槽,
其中,所述第一光刻胶层的厚度被形成为能够使得所述第一刻蚀至少贯穿至所述柔性基底表面。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对露出的层间介电层进行第一刻蚀,形成凹槽之后,所述方法还包括
剥离所述第一光刻胶层;
在层间介电层、凹槽侧壁和露出的柔性基底上形成第二光刻胶层并图案化,露出待形成源漏电极对应的层间介电层;
对露出的层间介电层进行第二刻蚀,形成过孔,露出所述有源区;
剥离所述第二光刻胶层;
沉积源漏金属并图案化,形成源极、漏极以及在凹槽上延伸的源漏金属走线。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
在层间介电层上形成第一光刻胶层并图案化,露出待形成弯折区对应的层间介电层表面之前,所述方法还包括:
在层间介电层上形成第二光刻胶层并图案化,露出待形成源漏电极对应的层间介电层;
对露出的层间介电层进行第二刻蚀,形成过孔,露出所述有源区;
剥离所述第二光刻胶层;并且
在对露出的层间介电层进行第一刻蚀,形成凹槽之后,所述方法还包括
剥离所述第一光刻胶层;
沉积源漏金属并图案化,形成源极、漏极以及在凹槽上延伸的源漏金属走线。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,所述凹槽的底壁与侧壁之间的夹角范围为40°-55°之间。
5.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,
所述第一光刻胶层的厚度大于第二光刻胶层的厚度。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,
所述第一光刻胶层的厚度为第二光刻胶层的厚度的两倍。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述柔性基底包括
第一聚酰亚胺层;
形成在所述第一聚酰亚胺层上的第一阻挡层;
形成在所述第一阻挡层上的第二聚酰亚胺层;以及
形成在所述第二聚酰亚胺层上的第二阻挡层。
8.一种OLED背板的制作方法,其特征在于,包括
在柔性基底上形成有源区、栅极绝缘层、栅极和层间介电层;
在层间介电层上形成第一光刻胶层并图案化,露出待形成弯折区对应的层间介电层表面;
对露出的层间介电层进行第一刻蚀,形成凹槽;
剥离所述第一光刻胶层;
在层间介电层、凹槽侧壁和露出的柔性基底上形成第二光刻胶层并图案化,露出待形成源漏电极对应的层间介电层;
对露出的层间介电层进行第二刻蚀,形成过孔,露出所述有源区;
剥离所述第二光刻胶层;
沉积源漏金属并图案化,形成源极、漏极以及在凹槽上延伸的源漏金属走线;
形成平坦化层;
在平坦化层上形成像素界定层;
形成由所述像素界定层围绕的OLED的阳极并与所述源极、漏极中的一个电连接,
其中所述第一光刻胶层的厚度被形成为能够使得所述第一刻蚀至少贯穿至所述柔性基底表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的