[发明专利]一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置在审
申请号: | 202010328342.1 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111489992A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 袁广才;李海旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L27/15;H01L33/48 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供光线控制结构;
在所述光线控制结构上形成解离胶层;
将Micro LED芯片设置在所述解离胶层上;
在所述光线控制结构远离所述解离胶层的一侧提供目标光线,并控制所述光线控制结构中的目标区域透光,使得所述目标光线穿过所述目标区域照射到所述解离胶层上,以将所述目标区域处对应的Micro LED芯片转移至待转基板上。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光线控制结构为显示面板;所述提供光线控制结构的步骤,包括:
形成阵列基板;
形成彩膜基板;所述彩膜基板包括阵列排布的黑矩阵,任意相邻的两个所述黑矩阵之间可透过所述目标光线;
将所述阵列基板和所述彩膜基板进行对盒并注入液晶,以得到所述显示面板;
其中,所述显示面板被划分为像素开口区域和非像素开口区域,所述Micro LED芯片在所述显示面板上的正投影位于所述像素开口区域内。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述光线控制结构远离所述解离胶层的一侧提供目标光线,并控制所述光线控制结构中的目标区域透光,使得所述目标光线穿过所述目标区域照射到所述解离胶层上,以将所述目标区域处对应的Micro LED芯片转移至待转基板上的步骤之前,还包括:
将设置有所述Micro LED芯片和所述解离胶层的光线控制结构,与所述待转基板进行对位。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述解离胶层的厚度小于1毫米。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述光线控制结构远离所述解离胶层的一侧提供目标光线,并控制所述光线控制结构中的目标区域透光,使得所述目标光线穿过所述目标区域照射到所述解离胶层上,以将所述目标区域处对应的Micro LED芯片转移至待转基板上的步骤之前,还包括:
提供第一基板;
在所述第一基板上形成驱动功能层;所述驱动功能层包括多个驱动晶体管和多条公共电极线;
在所述驱动功能层上形成焊盘层,以得到所述待转基板;所述焊盘层包括多个第一焊盘和多个第二焊盘,所述第一焊盘与对应的所述驱动晶体管连接,所述第二焊盘与对应的所述公共电极线连接。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在所述光线控制结构远离所述解离胶层的一侧提供目标光线,并控制所述光线控制结构中的目标区域透光,使得所述目标光线穿过所述目标区域照射到所述解离胶层上,以将所述目标区域处对应的Micro LED芯片转移至待转基板上的步骤之后,还包括:
采用预设工艺,将所述Micro LED芯片固定在所述待转基板上;
其中,所述预设工艺为键合工艺、焊接工艺以及导电胶压合工艺中的任一种;所述Micro LED芯片包括芯片本体和设置在所述芯片本体上的阳极引脚与阴极引脚,所述阳极引脚与所述第一焊盘连接,所述阴极引脚与所述第二焊盘连接。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述形成阵列基板的步骤,包括:
提供第二基板;
通过构图工艺在所述第二基板上形成栅极;
形成覆盖所述栅极和所述第二基板的栅绝缘层;
通过构图工艺在所述栅绝缘层上形成有源层;
通过构图工艺形成源漏电极层;所述源漏电极层部分覆盖所述栅绝缘层和所述有源层,且所述源漏电极层包括源极和漏极;
形成覆盖所述栅绝缘层、所述源漏电极层和所述有源层的第一钝化层;
在所述第一钝化层上形成平坦层;
通过构图工艺在所述平坦层上形成公共电极层;
形成覆盖所述平坦层和所述公共电极层的第二钝化层;
形成贯穿所述第二钝化层、所述平坦层和所述第一钝化层的过孔;
通过构图工艺在所述第二钝化层上形成像素电极层,所述像素电极层通过所述过孔与所述漏极连接,以得到所述阵列基板。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其特征在于,所述目标光线为紫外激光。
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