[发明专利]一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置在审
申请号: | 202010328342.1 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111489992A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 袁广才;李海旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L27/15;H01L33/48 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置,涉及显示技术领域。本发明通过提供光线控制结构,在光线控制结构上形成解离胶层,将Micro LED芯片设置在解离胶层上,在光线控制结构远离解离胶层的一侧提供目标光线,并控制光线控制结构中的目标区域透光,使得目标光线穿过目标区域照射到解离胶层上,以将目标区域处对应的Micro LED芯片转移至待转基板上。通过光线控制结构使得施加的目标光线选择性透过并照射到解离胶层上,则目标区域处的解离胶层解离,目标区域处的Micro LED芯片可转移到待转基板上,从而实现Micro LED芯片的巨量转移。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro-LED)是将传统LED(Light Emitting Diode,发光二极管)结构进行微小化和矩阵化,并采用集成电路工艺制成待转基板,将Micro-LED通过巨量转移技术转移至待转基板上,来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于Micro-LED技术的亮度、寿命、对比度、响应时间、能耗、可视角度和分辨率等各种指标都强于LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)技术,加上其具有自发光、结构简单、体积小和节能的优点,被视为下一代显示技术,得到了广泛的关注。
然而,如何将大量的Micro-LED芯片转移到待转基板上,成为Micro LED芯片的巨量转移技术的重大挑战。
发明内容
本发明提供一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置,以解决现有的无法将Micro LED芯片巨量转移到待转基板的问题。
为了解决上述问题,本发明公开了一种显示基板的制作方法,包括:
提供光线控制结构;
在所述光线控制结构上形成解离胶层;
将Micro LED芯片设置在所述解离胶层上;
在所述光线控制结构远离所述解离胶层的一侧提供目标光线,并控制所述光线控制结构中的目标区域透光,使得所述目标光线穿过所述目标区域照射到所述解离胶层上,以将所述目标区域处对应的Micro LED芯片转移至待转基板上。
可选的,所述光线控制结构为显示面板;所述提供光线控制结构的步骤,包括:
形成阵列基板;
形成彩膜基板;所述彩膜基板包括阵列排布的黑矩阵,任意相邻的两个所述黑矩阵之间可透过所述目标光线;
将所述阵列基板和所述彩膜基板进行对盒并注入液晶,以得到所述显示面板;
其中,所述显示面板被划分为像素开口区域和非像素开口区域,所述Micro LED芯片在所述显示面板上的正投影位于所述像素开口区域内。
可选的,在所述光线控制结构远离所述解离胶层的一侧提供目标光线,并控制所述光线控制结构中的目标区域透光,使得所述目标光线穿过所述目标区域照射到所述解离胶层上,以将所述目标区域处对应的Micro LED芯片转移至待转基板上的步骤之前,还包括:
将设置有所述Micro LED芯片和所述解离胶层的光线控制结构,与所述待转基板进行对位。
可选的,所述解离胶层的厚度小于1毫米。
可选的,在所述光线控制结构远离所述解离胶层的一侧提供目标光线,并控制所述光线控制结构中的目标区域透光,使得所述目标光线穿过所述目标区域照射到所述解离胶层上,以将所述目标区域处对应的Micro LED芯片转移至待转基板上的步骤之前,还包括:
提供第一基板;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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