[发明专利]基板处理设备和基板处理方法

说明书

本发明涉及一种基板处理设备和基板处理方法。所述基板处理设备包括：成膜室，在所述成膜室中，在基板上形成膜；以及可动构件，其被配置为在所述成膜室的内部空间中支撑掩模、或者所述掩模和所述基板这两者，并且能够移动。在所述基板上形成所述膜之前，在由基板输送机构输送至所述成膜室的内部空间的所述基板与由所述可动构件支撑的所述掩模分离的状态下，所述可动构件移动以减小所述基板和所述掩模之间的对准误差，然后支撑所述基板。在由所述可动构件支撑所述基板之后并且在通过所述基板输送机构从所述成膜室取出所述基板之前，所述可动构件移动到预定位置。

技术领域

本发明涉及基板处理设备和基板处理方法。

背景技术

已进行了研究和开发，以在基板上形成功能层，从而提供与功能层相对应的用途的元件。已知通过将功能层形成为有机或无机的发光层来形成发光元件。另一方面，可以通过将功能层形成为有机或无机的光电转换层来形成光电转换元件。为了形成这些功能层，可以采用诸如溅射法或CVD法等的适合于功能层的形成方法。定位基板以在所确定的位置形成功能层。另外，使用掩模来在特定位置形成功能层。掩模是用于限制形成功能层的区域的构件。用于将掩模和基板之间的相对位置设置为预定相对位置的操作被称为对准。

日本特开2014-70242(以下称为专利文献1)描述了气相沉积设备，其中在该气相沉积设备中，在将基板放置在制备室中之后，将制备室的内部抽空，将基板移动到等离子体处理室并在等离子体处理室中清洁基板，将基板移动到基板旋转室并在基板旋转室中旋转基板，然后将基板移送至气相沉积室并且基板经历气相沉积。在该气相沉积设备中，基板在制备室中经历预对准，在等离子体处理室中经历清洁，并且在基板旋转室中经历旋转。然后，将基板输送至第一气相沉积室。在第一气相沉积室中进行基板和掩模之间的对准之后，对基板进行气相沉积。之后，将基板输送至第二气相沉积室并且基板经历进一步的气相沉积。通过重复如上所述的处理，在基板上形成多个层。

在将基板顺次输送至多个成膜室以形成膜的方法中，在各成膜室中基板的位置偏移可能累积。在专利文献1中，未考虑基板的位置偏移的这种累积。

发明内容

本发明提供在减少基板的位置偏移的累积方面有利的技术。

本发明的第一方面提供一种基板处理设备，包括：成膜室，在所述成膜室中，在基板上形成膜；以及可动构件，其被配置为在所述成膜室的内部空间中支撑掩模、或者所述掩模和所述基板这两者，并且能够移动，其中，在所述基板上形成所述膜之前，在由基板输送机构输送至所述成膜室的内部空间的所述基板与由所述可动构件支撑的所述掩模分离的状态下，所述可动构件移动以减小所述基板和所述掩模之间的对准误差，然后支撑所述基板，以及在由所述可动构件支撑所述基板之后并且在通过所述基板输送机构从所述成膜室取出所述基板之前，所述可动构件移动到预定位置。

本发明的第二方面提供一种基板处理设备，包括：成膜室，其包括在基板上形成功能层的空间；支撑构件，其被配置为支撑用于限制形成所述功能层的区域的掩模；保持构件，其被配置为保持所述基板；以及移动机构，其被配置为改变所述掩模和所述基板之间的相对位置，其中在形成所述功能层之后，所述移动机构移动所述成膜室中的所述基板。

本发明的第三方面提供一种基板处理方法，包括：在成膜室的内部空间中移动基板或用于限制在所述基板上形成膜的区域的掩模，以减小所述基板和所述掩模之间的对准误差；在移动所述基板或所述掩模之后，在所述内部空间中的压力降低的状态下，利用可动构件对所述掩模和所述基板以堆叠状态进行支撑；在所述支撑之后，经由所述掩模在所述基板上形成膜；以及在所述形成之后，将所述基板从所述成膜室的内部空间输送至外部，所述基板处理方法包括：在所述支撑和所述形成之间或者在所述形成和所述输送之间，将支撑所述基板的所述可动构件移动到与之前的处理中的位置不同的预定位置。

通过以下参考附图对典型实施方式的说明，本发明的更多特征将变得明显。

附图说明

图1是示出根据实施方式的基板处理设备的配置的图；