[发明专利]一种Micro LED芯片巨量转移方法及一种显示背板

权利要求书

1.一种Micro LED芯片巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一发光基板，所述发光基板设置有用于容置Micro LED芯片的芯片安装凹槽，所述芯片安装凹槽内设置有分别与所述Micro LED芯片的第一芯片电极和第二芯片电极电连接的第一接触电极和第二接触电极；

在所述芯片安装凹槽内固定有绝缘膨胀垫片，所述绝缘膨胀垫片的膨胀系数与温度相关，所述绝缘膨胀垫片设置于所述第一接触电极和所述第二接触电极之间；

将所述Micro LED芯片转移至所述绝缘膨胀垫片上；

对所述Micro LED芯片和所述发光基板进行加热，控制所述绝缘膨胀垫片膨胀，以对所述Micro LED芯片的第一芯片电极和第二芯片电极进行卡位；

向所述芯片安装凹槽内滴入导电胶，进行预绑定；

固化所述导电胶，完成巨量转移。

2.根据权利要求1所述的一种Micro LED芯片巨量转移方法，其特征在于，所述绝缘膨胀垫片通过光解胶粘接固定于所述芯片安装凹槽内，所述光解胶位于所述绝缘膨胀垫片和所述发光基板之间。

3.根据权利要求2所述的一种Micro LED芯片巨量转移方法，其特征在于，在向所述芯片安装凹槽内滴入导电胶后，在固化所述导电胶之前，还包括对所述芯片安装凹槽内的导电胶进行超声振荡处理；

具体地，所述巨量转移方法包括以下步骤：

提供一发光基板，所述发光基板设置有用于容置Micro LED芯片的芯片安装凹槽，所述芯片安装凹槽内设置有分别与所述Micro LED芯片的第一芯片电极和第二芯片电极电连接的第一接触电极和第二接触电极；

在所述芯片安装凹槽内固定绝缘膨胀垫片，所述绝缘膨胀垫片的膨胀系数与温度相关；所述绝缘膨胀垫片设置于所述第一接触电极和所述第二接触电极之间；所述绝缘膨胀垫片通过光解胶粘接固定于所述芯片安装凹槽内，所述光解胶位于所述绝缘膨胀垫片和所述发光基板之间；

将所述Micro LED芯片转移至所述绝缘膨胀垫片上；

对所述Micro LED芯片和所述发光基板进行加热，控制所述绝缘膨胀垫片膨胀，以对所述Micro LED芯片的第一芯片电极和第二芯片电极进行卡位；

向所述芯片安装凹槽内滴入导电胶，进行预绑定；

对所述芯片安装凹槽内的导电胶进行超声振荡处理；

固化所述导电胶，完成巨量转移。

4.根据权利要求3所述的一种Micro LED芯片巨量转移方法，其特征在于，在将所述Micro LED芯片转移至所述绝缘膨胀垫片上之后，在向所述芯片安装凹槽内滴入导电胶前，所述方法还包括：对所述Micro LED芯片进行电性能测试；

若所述Micro LED芯片未通过电性能测试，则通过光照去除所述光解胶的粘性，取出附着其上的绝缘膨胀垫片和所述Micro LED芯片，重新依次执行固定绝缘膨胀垫片、将MicroLED芯片转移至绝缘膨胀垫片、控制绝缘膨胀垫片膨胀、预绑定、超声振荡和电性能测试。

5.根据权利要求4所述的一种Micro LED芯片巨量转移方法，其特征在于，还包括通过标定得到所述绝缘膨胀垫片的温度控制表，所述温度控制表为膨胀系数与温度的对应关系。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种Micro LED芯片巨量转移方法，其特征在于：所述芯片安装凹槽的纵切面为倒梯形，所述芯片安装凹槽的开口处的尺寸不小于所述MicroLED芯片的尺寸。

7.根据权利要求1-5任一项所述的一种Micro LED芯片巨量转移方法，其特征在于：所述绝缘膨胀垫片为膨胀石墨垫片。

8.根据权利要求1-5任一项所述的一种Micro LED芯片巨量转移方法，其特征在于：加热后，所述绝缘膨胀垫片的长度小于所述芯片安装凹槽的长度，所述绝缘膨胀垫片的宽度等于所述芯片安装凹槽的宽度。

9.一种显示背板，其特征在于，所述Micro LED芯片采用权利要求1-8任一项所述的Micro LED芯片巨量转移方法制作而成；

所述显示背板包括：

发光基板，所述发光基板上设置有多个芯片安装凹槽，所述芯片安装凹槽内设置有分别与所述Micro LED芯片的第一芯片电极和第二芯片电极电连接的第一接触电极和第二接触电极；

绝缘膨胀垫片，所述绝缘膨胀垫片一一对应设置于所述芯片安装凹槽内；所述绝缘膨胀垫片设置于所述第一接触电极和所述第二接触电极之间；

Micro LED芯片，所述Micro LED芯片一一对应设置于所述绝缘膨胀垫片上，所述MicroLED芯片通过导电胶固定设置于所述芯片安装凹槽内。