[发明专利]一种功率自适应的频率控制电路

说明书

本发明公开了一种功率自适应的频率控制电路，电路结构简单，且可以实现多段变频，属于集成电路技术领域，普遍适用于反激式电源的频率控制部分。所涉及的电路包括：源随电路、第一级比较电路、第二级比较电路和镜像输出电路；所述源随电路与第一级比较电路连接；所述镜像输出电路与第一级比较电路连接，第一级比较电路与第二级比较电路连接。本发明在元件参数选取合适的情况下，电流控制电路可极大提高能源利用率，降低不同负载下电源系统自身的开关功率消耗，并且通过合理的频率曲线优化，极大降低了电源系统噪声对人体影响。

技术领域

本发明属于集成电路领域，具体涉及一种能根据负载自适应输出自动调节输出电流的大小，从而实现对频率进行控制的功率控制技术。

背景技术

开关电源中存在功率开关管的频繁开关动作，开关动作一般分为硬开关和软开关两种。硬开关：开关过程中电压电流曲线出现重叠，开通过程和关闭过程有功率消耗。

软开关：在硬开关的基础上，电路中添加小电感、电容等谐振元件。在开关过程前后引入谐振，消除电压、电流的重叠。虽然软开关有理想的开关特性，但是在反激式电源中还无法做到理想的软开关技术。所以目前有效的降低开关损耗的方式是合理的优化频率曲线。在传统的电路中频率控制电路往往较为复杂，且往往是单段变频。

发明内容

针对现有技术中的上述不足，本发明提供的一种功率自适应的频率控制电路解决了开关过程中中低频开关损耗功率过大以及400Hz到22kHz产生的人耳噪音问题。

为了达到上述发明目的，本发明采用的技术方案为：一种功率自适应的频率控制电路，包括：源随电路、第一级比较电路、第二级比较电路和镜像输出电路；

所述源随电路与第一级比较电路连接；所述镜像输出电路与第一级比较电路连接；所述第一级比较电路与第二级比较电路连接。

进一步地，所述源随电路包括：控制端pb1、控制端pb2、控制端ip、控制端ref1、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4、PMOS管P5和PMOS管P6；

所述PMOS管P1的源极和PMOS管P2的源极连接，并与电源LV连接；所述PMOS管P1的漏极与PMOS管P3的源极连接，其栅极分别与控制端pb1和PMOS管P2的栅极连接；所述PMOS管P2的漏极与PMOS管P4的源极连接；所述PMOS管P3的漏极与PMOS管P5的源极连接，并作为输出端OUT1；所述PMOS管P4的漏极与PMOS管P6的源极连接，并作为输出端OUT2；所述PMOS管P5的栅极与控制端ip连接，其漏极接地；所述PMOS管P6的漏极接地，其栅极与控制端ref1连接；所述PMOS管P3的栅极分别与控制端Pb2和PMOS管P4的栅极连接。

进一步地，所述第二级比较电路包括：PMOS管P11、PMOS管P12、PMOS管P13、PMOS管P14、NMOS管N8、NMOS管N9、NMOS管N7、NMOS管N10、控制端ctrn和控制端ref2；

所述PMOS管P11的栅极与控制端pb1连接，其源极与电源LV连接，其漏极与PMOS管P12的源极连接；所述PMOS管P12的栅极与控制端pb2连接，其漏极分别与PMOS管P13的源极和PMOS管P14的源极连接；所述PMOS管P13的栅极与控制端ip连接，其漏极分别与NMOS管N8的漏极、NMOS管N9的漏极和NMOS管N9的栅极连接；所述PMOS管P14的栅极与控制端ref2连接，其漏极分别与NMOS管N10的漏极、NMOS管N7的漏极和NMOS管N7的栅极连接；所述NMOS管N8的栅极分别与控制端ctrn和NMOS管N10的栅极连接；其源极接地；所述NMOS管N9的源极接地；所述NMOS管N10的源极接地；所述NMOS管N7的源极接地。