[发明专利]线宽标准样片的线宽量值确定的方法及系统

权利要求书

1.一种线宽标准样片的线宽量值确定的方法，其特征在于，包括：

对椭偏仪进行校准；

建立基于多层膜沉积工艺的多层膜厚样片测量模型，并在所述多层膜厚样片测量模型建立过程中对初次校准后的椭偏仪进行再次校准；

基于多层膜沉积工艺沉积多层膜厚样片；包括：采用硅晶圆片1和硅晶圆片2采用磁控溅射工艺在硅晶圆片1和硅晶圆片2上分别生长一层介质材料1，采用已经生长介质材料1的硅晶圆片1上再生长一层介质材料2，采用键合方式将生长介质材料1和介质材料2的硅晶圆片1与生长介质材料1的硅晶圆片2键合在一起，得到第一多层膜厚样片，将第一多层膜厚样片通过划片方式进行切割，将切割后的任意一个第二多层膜厚样片的切割面进行研磨和剖光将剖光后的多层膜厚样片中的介质材料1进行刻蚀，得到多层膜厚样片；所述介质材料1和所述介质材料2的厚度不同；

采用再次校准后的椭偏仪，对所述多层膜厚样片的薄膜厚度进行测量，得到测量结果，包括：在多层膜厚样片中第二介质材料的表面确定多个测量位置；采用再次校准后的椭偏仪对所述多个测量位置依次进行薄膜厚度的测量，得到多个测量结果；计算所述多个测量结果的平均值，并将所述平均值作为所述第二介质材料的薄膜厚度；

并将所述测量结果作为线宽标准样片的线宽量值。

2.如权利要求1所述的线宽标准样片的线宽量值确定的方法，其特征在于，所述对椭偏仪进行校准，包括：

采用薄膜厚度不同的多个二氧化硅膜厚标准样片对椭偏仪进行校准。

3.如权利要求1所述的线宽标准样片的线宽量值确定的方法，其特征在于，所述建立基于多层膜沉积工艺的多层膜厚样片测量模型，包括：

采用晶圆片和第一陪片在所述第一陪片上生长一层第一介质材料；

测量所述第一介质材料的介质参数；

采用所述晶圆片和第二陪片在所述第二陪片上生长一层第二介质材料；

测量所述第二介质材料的介质参数；

根据所述第一介质材料的介质参数和所述第二介质材料的介质参数，建立基于多层膜沉积工艺的多层膜厚样片测量模型。

4.如权利要求3所述的线宽标准样片的线宽量值确定的方法，其特征在于，所述采用晶圆片和第一陪片在所述第一陪片上生长一层第一介质材料，包括：

基于晶圆片和第一陪片采用磁控溅射工艺在所述第一陪片上生长一层第一介质材料；

所述采用所述晶圆片和第二陪片在所述第二陪片上生长一层第二介质材料，包括：

基于所述晶圆片和第二陪片采用磁控溅射工艺在所述第二陪片上生长一层第二介质材料。

5.如权利要求3所述的线宽标准样片的线宽量值确定的方法，其特征在于，所述测量所述第一介质材料的介质参数，包括：

根据所述晶圆片和所述第一陪片的材质对初次校准后的椭偏仪设置初始测量参数；

基于初次校准后的椭偏仪测量所述第一介质材料的介质参数；

当所述介质参数未在预设标准介质参数范围内时，再次对所述初次校准后的椭偏仪进行校准，并采用再次校准后的椭偏仪测量所述第一介质材料的介质参数，直到测量的介质参数在所述预设标准介质参数范围内，确定最终测得的介质参数为所述第一介质材料的介质参数。

6.如权利要求5所述的线宽标准样片的线宽量值确定的方法，其特征在于，所述测量所述第一介质材料的介质参数，包括：

当已建立了所述多层膜厚样片测量模型时，采用多层膜厚样片测量模型测量所述第一介质材料的介质参数。

7.如权利要求1所述的线宽标准样片的线宽量值确定的方法，其特征在于，在所述采用再次校准后的椭偏仪，对所述多层膜厚样片的薄膜厚度进行测量，得到测量结果之后，还包括：

根据所述再次校准后的椭偏仪和所述测量结果计算所述线宽量值的不确定度。

8.一种线宽标准样片的线宽量值确定的系统，其特征在于，包括：椭偏仪和处理设备，所述处理设备包括校准模块，测量模型建立模块；

所述校准模块，用于对所述椭偏仪进行校准；

所述测量模型建立模块，用于建立基于多层膜沉积工艺的多层膜厚样片测量模型；

所述校准模块，还用于在所述多层膜厚样片测量模型建立过程中对初次校准后的椭偏仪进行再次校准；

所述测量模型建立模块，还用于基于多层膜沉积工艺沉积多层膜厚样片；包括：采用硅晶圆片1和硅晶圆片2采用磁控溅射工艺在硅晶圆片1和硅晶圆片2上分别生长一层介质材料1，采用已经生长介质材料1的硅晶圆片1上再生长一层介质材料2，采用键合方式将生长介质材料1和介质材料2的硅晶圆片1与生长介质材料1的硅晶圆片2键合在一起，得到第一多层膜厚样片，将第一多层膜厚样片通过划片方式进行切割，将切割后的任意一个第二多层膜厚样片的切割面进行研磨和剖光将剖光后的多层膜厚样片中的介质材料1进行刻蚀，得到多层膜厚样片；所述介质材料1和所述介质材料2的厚度不同；

再次校准后的椭偏仪，用于对所述多层膜厚样片的薄膜厚度进行测量，得到测量结果，包括：在多层膜厚样片中第二介质材料的表面确定多个测量位置；采用再次校准后的椭偏仪对所述多个测量位置依次进行薄膜厚度的测量，得到多个测量结果；计算所述多个测量结果的平均值，并将所述平均值作为所述第二介质材料的薄膜厚度；并将所述测量结果作为线宽标准样片的线宽量值。