[发明专利]磁性随机存储阵列及半导体器件

权利要求书

1.一种磁性随机存储阵列，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中设置有按行和列排布成阵列的多个有源区，且相邻两行所述有源区交错排布；

多条字线，形成在所述半导体衬底上，且每条所述字线沿列方向延伸并跨设在同一列的多个所述有源区上，每条所述字线将相应的所述有源区分为源极区和漏极区；

多条源线，每条所述源线通过第一金属层形成并连接相应的所述源极区；

多个磁性隧道结，每个所述磁性隧道结底部通过相应的第二金属层连接相应的所述漏极区，顶部连接第三金属层，所述第三金属层用于形成相应的位线。

2.如权利要求1所述的磁性随机存储阵列，其特征在于，每个所述有源区和设置在所述有源区上方的所述字线形成相应的MOS管，所述MOS管和所述漏极区上方的所述磁性隧道结组成一个存储单元，所述存储单元的面积为8F²，其中，F是磁性随机存储阵列的特征尺寸，所述存储单元在行方向上的长度为在列方向上的长度的2倍。

3.如权利要求1所述的磁性随机存储阵列，其特征在于，同一行上相邻两个所述有源区之间的间距小于所述有源区在行方向上的长度。

4.如权利要求1所述的磁性随机存储阵列，其特征在于，所述位线和所述源线平行设置。

5.如权利要求1或4所述的磁性随机存储阵列，其特征在于，所述位线与所述字线异面相交且不垂直，或者，所述位线与所述字线垂直。

6.如权利要求5所述的磁性随机存储阵列，其特征在于，当所述位线与所述字线异面相交且不垂直时，同一行上和同一列上的相邻两个所述存储单元均不共享位线和源线；当所述位线与所述字线垂直时，相邻两行所述存储单元共享同一条位线和/或同一条源线。

7.如权利要求6所述的磁性随机存储阵列，其特征在于，当所述位线与所述字线异面相交且不垂直时，所述位线与所述字线之间的夹角包括但不仅限于45度。

8.如权利要求1所述的磁性随机存储阵列，其特征在于，各个所述漏极区通过位于所述漏极区上方的漏极接触插塞连接所述磁性隧道结底部的所述第二金属层，各个所述源极区通过位于所述源极区上方的源极接触插塞连接所述源线；所述漏极接触插塞和所述源极接触插塞按所述行和列排列成插塞阵列。

9.如权利要求8所述的磁性随机存储阵列，其特征在于，所述插塞阵列的每列中的漏极接触插塞和源极接触插塞交替排列，所述插塞阵列的每行中的漏极接触插塞和源极接触插塞交替排列。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1～9中任一项所述的磁性随机存储阵列。