[发明专利]一种硅片制绒后处理方法

权利要求书

1.一种硅片制绒后处理方法，其特征在于，在HF清洗前，将制绒后的硅片用臭氧进行表面氧化。

2.根据权利要求1所述的一种硅片制绒后处理方法，其特征在于，具体方法为：所述臭氧为臭氧溶液或者臭氧气氛。

3.根据权利要求2所述的一种硅片制绒后处理方法，其特征在于，具体方法为：所述臭氧溶液浓度为0.01-120ppm，臭氧气氛浓度为0.1-500ppm。

4.根据权利要求2或3任一项所述的一种硅片制绒后处理方法，所述臭氧溶液中还添加有盐酸。

5.根据权利要求1-3任一项所述的一种硅片制绒后处理方法，其特征在于，具体方法为：将制绒后的硅片进行后清洗，将后清洗后的硅片经臭氧氧化，再用氢氟酸清洗；或者将制绒后的硅片进行后清洗，将后清洗后的硅片进行化学抛光，将化学抛光后的硅片用纯净水清洗，然后将硅片经臭氧氧化，再用氢氟酸清洗。

6.根据权利要求4所述的一种硅片制绒后处理方法，其特征在于，具体方法为：所述后清洗的清洗液为SC1清洗液，SC1清洗液为KOH与 H₂O₂的混合溶液或者NH₄OH与H₂O₂的混合溶液。

7.根据权利要求4所述的一种硅片制绒后处理方法，其特征在于，所述化学抛光所用处理液为氢氟酸与硝酸混合物，其中氢氟酸体积分数0.5%，硝酸体积分数为99.5%。