[发明专利]一种硅片制绒后处理方法

说明书

本发明公开一种硅片制绒后处理方法，包括在HF清洗前，将制绒后的硅片用臭氧进行表面氧化。本发明在氢氟酸清洗前利用臭氧的氧化性，在硅片表面形成一层SiO₂，然后再进行HF清洗剥离，达到去除表面颗粒物、有机物、离子等作用；同时臭氧的氧化性可直接氧化部分有机，达到直接去除的作用。

技术领域

本发明电池制备工艺，具体涉及一种硅片制绒后处理方法。

背景技术

SHJ(Silicon Herterojunction)硅异质结电池，又被称作HIT(Heterojunctionwith intrinsic thin layer)电池，该电池具有高效率、高Voc等特点，该电池一般以N型硅片为基底，对硅基底界面要求特别严格(对制绒后表面清洁度敏感)，一般制程工序为：制绒、非晶硅、TCO、丝网测试。

现目前，SHJ规模化生产中，硅基底的制绒工序制绒一般采用预清洗→去损→制绒→后清洗→化学抛光(CP)→HF清洗→烘干的流程，而制绒后硅片表面的清洁度会极大的影响到非晶硅的沉积的质量，从而影响到效率。其中，后清洗对制绒后硅片表面有机物进行清洗，CP通过不断的氧化溶解反复进行从而对制绒后的硅片形成的金字塔形貌进行修饰，而HF清洗起到让硅片疏水的作用，同时可去除硅片表面所含K、Na等轻金属离子。然而，现有技术中，直接用HF酸清洗硅片并不能完全将硅片表面疏水化，另外一方面，批量化生产过程中，CP之后硅片表面还是可能存在有机残留，对后续非晶硅沉积带来影响。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种硅片制绒后处理方法。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种硅片制绒后处理方法，在HF清洗前，将制绒后的硅片用臭氧进行表面氧化。

进一步的，所述臭氧为臭氧溶液或者臭氧气氛。

进一步的，所述臭氧溶液浓度为0.01-120ppm，臭氧气氛浓度为0.1-500ppm。

进一步的，所述臭氧溶液中还添加有盐酸，盐酸的添加降低了溶液pH从而提高臭氧的浓度，从而提高臭氧氧化过程的效率。

进一步的，将制绒后的硅片进行后清洗，将后清洗后的硅片经臭氧氧化，再用氢氟酸清洗。后清洗洗掉硅片表面的有机物后，直接利用臭氧对硅片进行表面氧化，再用氢氟酸清洗，该过程中并未进行化学抛光处理，但是同样能增加电池的短路电流(Isc)，从而提高电池效率。

进一步的，将制绒后的硅片进行后清洗，将后清洗后的硅片进行化学抛光，将化学抛光后的硅片用纯净水清洗，然后将硅片经臭氧氧化，再用氢氟酸清洗。后清洗洗掉硅片表面的有机物后，然后进行化学抛光，在化学抛光的基础上再进行臭氧表面氧化及氢氟酸清洗，由于增设了化学抛光的步骤，进一步提高电池效率。

进一步的，所述后清洗的清洗液为SC1清洗液，SC1清洗液为KOH与H₂O₂的混合溶液或者NH₄OH与H₂O₂的混合溶液。

进一步的，所述化学抛光所用处理液为氢氟酸与硝酸混合物，其中氢氟酸体积分数0.5％，硝酸体积分数为99.5％。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

本发明在HF前增加臭氧氧化硅片表面，此时硅片表面形成一层完整的SiO₂膜，再用HF酸将这层SiO₂膜洗掉，达到去除硅片表面颗粒物、有机物、离子等作用，并使硅片表面疏水；同时臭氧的氧化性可直接氧化硅片表面残留的有机物，达到直接去除有机物的作用。本发明制备的硅片用于制备电池，其Isc有效提高，电池效率较正常效率高0.04％。

具体实施方式