[发明专利]甜樱桃种内杂交F1代快速成苗的组培方法

权利要求书

1.甜樱桃种内杂交F1代快速成苗的组培方法，包括杂交制种、种子采集；其特征是：将采集的种子依次进行以下步骤：

S1、种子破壳处理及种胚浸泡：

种子消毒，破碎外种皮后取出种胚，将种胚浸泡于无菌水中，浸泡时间为4~8小时，得浸泡后种胚；

所述种子消毒为：种子于体积浓度75 %酒精浸泡1 min；

S2、种胚消毒及内种皮去除：

于超净工作台中，将浸泡后种胚先消毒，经无菌水冲洗后表面除水，再剥除胚内种皮，得剥除内种皮的胚；

所述消毒为：依次使用体积浓度75 %酒精浸泡1 min、体积浓度10 %次氯酸钠溶液浸泡15~20 min、0. 1 %升汞浸泡1 min，从而实现对种胚进行消毒；

S3、接种、培养：

将剥除内种皮的胚先消毒，经无菌水冲洗后表面除水，再接种于培养容器内的甜樱桃特制培养基中，置于组培室培养，培养条件为（25±1） ℃、14 h光照/10 h黑暗条件，光照强度20~40 μmol/m²·s；

所述消毒为：使用0.05%升汞浸泡0.5~1 min；

所述甜樱桃特制培养基为含有外源生长促进添加剂的MS固体培养基；

所述含有外源生长促进添加剂的MS固体培养基为：MS基本培养基+6-BA 0.5~1.0 mg/L+IAA 0.1~0.5 mg/L+NAA 0.1~0.5 mg/L+ Vc 0.5~1.0 mg/L+蔗糖3 %+琼脂0. 65 %，pH5.8；

S4、检查胚污染情况和二次消毒：

接种培养5~10 d后检查胚污染情况，视胚污染情况分别进行如下处理：

如果同一个培养容器中存在被污染的胚，将未污染胚转接于新的甜樱桃特制培养基中培养，将污染胚进行二次消毒后接种于新的甜樱桃特制培养基中培养；培养条件同S3；

如果同一个培养容器中不存在被污染的胚，则按照S3所述培养条件继续进行培养；

而后，每天检查胚污染情况，视污染情况按照上述处理方式进行相应处理，直至胚萌发出苗；

所述二次消毒为：使用0. 05 %升汞浸泡1~1.5 min；

S5、褐化处理与及时转接：

观察S4所得幼苗的褐化情况，视褐化情况分别进行如下处理：

如果同一个培养容器中存在尖端或末梢出现褐化现象的幼苗，将该幼苗取出后切除褐化部分，无菌水清洗，抗氧化处理，再经无菌水冲洗后，表面除水，最后放入新的甜樱桃特制培养基中继续培养；培养条件同S3；

如果同一个培养容器中不存在出现褐化情况的幼苗，则按照S3所述培养条件继续进行培养；

直至幼苗生长至成为同时满足以下条件的小苗：真叶≥4片、根系≥6条、苗高≥3 cm；结束此步骤S5的培养；

所述抗氧化处理为：浓度为0.5~ 1.5mg/L Vc溶液过滤灭菌作为抗氧化液，将无菌水清洗后的已切除褐化部分的小苗于抗氧化液浸泡30 ~40s；

S6、炼苗移栽：

将步骤S5所得小苗进行炼苗移栽。

2.根据权利要求1所述的甜樱桃种内杂交F1代快速成苗的组培方法，其特征是：

S2和S3的表面除水均为：无菌滤纸吸干种胚表面水分；

S5表面除水为：无菌滤纸吸干幼苗表面水分。

3.根据权利要求2所述的甜樱桃种内杂交F1代快速成苗的组培方法，其特征是：

从S3接种培养之日起至S5结束，每20 d~30 d更换一次新的甜樱桃特制培养基。

4.根据权利要求1~3任一所述的甜樱桃种内杂交F1代快速成苗的组培方法，其特征是：

S6为：炼苗7~10 d后移栽至基质中，先在光照培养箱中种植30~60 d后转移至外界生长；

光照培养箱内的培养条件为：温度（25±1） ℃、14 h光照/10 h黑暗条件，光照强度20-40 μmol/m²·s。