[发明专利]一种结合图形匹配的OPC修正方法有效
申请号: | 202010336793.X | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN111505898B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 雷海波;乔彦辉;田明;王丹;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结合 图形 匹配 opc 修正 方法 | ||
本发明提供一种结合图形匹配的OPC修正方法,提供图形库,对图形库中多个图形作常规OPC,得到第一掩膜层和第一目标层;根据第一掩膜层中每个分段与第一目标层中相应分段的距离差算出每个分段的偏移值,将该偏移值对应到图形的相应分段形成数据库;输入待执行OPC的版图,以该版图中的图形层为第二目标层,通过图形对第二目标层作图形匹配,再将得到匹配的图形根据数据库做分段和偏移,形成光罩前的迭代层;以第二目标层作目标层、以光罩前的迭代层作修正层执行基于模型的OPC修正,经迭代后得到目标轮廓的第二掩膜层。本发明能通过降低基于模型的OPC修正的迭代次数,提高修正效率,来降低OPC整体的运算时间。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种结合图形匹配的OPC修正方法。
背景技术
随着人们对芯片性能与耗能要求越来越苛刻,想要获得小面积、高性能、低能耗的芯片,半导体工艺经历了无OPC(光学临近修正)、基于规则的OPC修正方法(rule-basedOPC)、基于模型的OPC修正方法(model-based OPC)的发展历程,现在通用的方法是先根据光刻、刻蚀等因素,使用rule-based OPC为版图形成目标层(target层),在进行model-based OPC得到最终的掩膜层,其中model-based OPC修正花费掉的时间与计算资源也越来越多。并且随着版图设计CD(图形关键尺寸)的减小,model-based OPC花费的时间更是大幅增加。因此减少运行时间的痛点亟待解决。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种结合图形匹配的OPC修正方法,用于解决现有技术中随着版图中图形关键尺寸的减小,基于模型的OPC修正花费的时间大幅增加的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种结合图形匹配的OPC修正方法,一种结合图形匹配的OPC修正方法,该方法至少包括以下步骤:
步骤一、提供一个图形库,所述图形库为由形状各异的多个图形组成的集合;
步骤二、对所述图形库中的所述多个图形依次作基于规则的OPC修正和基于模型的OPC修正,依次得到第一掩膜层和第一目标层;然后根据所述第一掩膜层中每个分段与所述第一目标层中相应分段的距离差算出每个分段的偏移值,将所述偏移值对应到所述图形的相应分段形成数据库;
步骤三、输入待执行OPC的版图,以该版图中的图形层作为第二目标层;
步骤四、通过所述图形库里的所述图形对所述第二目标层作图形匹配,再将所述版图中得到匹配的图形根据所述数据库做分段和偏移,形成光罩前的迭代层;
步骤五、以所述第二目标层作目标层、以所述光罩前的迭代层作修正层执行基于模型的OPC修正,经迭代后得到目标轮廓的第二掩膜层。
优选地,步骤一中的所述图形库是由绘制或者截取图形的方法形成。
优选地,步骤一中的所述图形库中的图形根据需要随时更新。
优选地,步骤二中的所述数据库中包括所述图形库中的图形、所述偏移值以及与所述偏移值对应的图形的相应分段。
优选地,所述数据库根据需要随时更新。
优选地,步骤二中的所述偏移值为所述第一掩膜层和所述第一目标层之间带方向的距离。
优选地,步骤三中的所述第二目标层为基于规则的OPC修正后形成的图层。
优选地,步骤五中将所述版图、所述第二目标层、所述光罩前的迭代层输入到基于模型的OPC系统中执行所述基于模型的OPC修正。
如上所述,本发明的合图形匹配的OPC修正方法,具有以下有益效果:本发明通过建立一个预偏移量的数据库,通过图形匹配将预偏移量应用到版图,能通过降低基于模型的OPC修正的迭代次数,提高修正效率,来降低OPC整体的运算时间。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备