[发明专利]一种高可靠隔离式高压开关电路

权利要求书

1.一种高可靠隔离式高压开关电路，其特征在于，包括：

所述高压控制单元包括光耦U1和双向可控硅控制电路，所述双向可控硅控制电路包括G极接在光耦U1受控侧的双向可控硅M1，所述双向可控硅T1极和T2极接受控负载主电路，当光耦U1的导通驱动双向可控硅M1带载输出，当光耦U1的截止驱动双向可控硅M1关断负载；

所述光耦U1的1号引脚连接有第一信号处理单元及供电控制单元电连接，所述第一信号处理单元包括积分电路，所述积分电路的输入侧连接有控制信号输入端口P1，所述积分电路的输出侧与一三极管Q1的基极连接，所述供电控制单元包括MOS管，所述MOS管的G极连接至三极管Q1的集电极，D极连接至电源VCC，S极与光耦U1的1号引脚之间接有电阻R3，S极与所述三极管Q1的发射极之间连接有电阻R12，当端口P1输入为直流电平时，MOS管关闭；

所述光耦U1的2号引脚连接有第二信号处理单元，所述第二信号处理单元包括三极管Q2，所述三极管Q2的集电极与光耦U1的2号引脚连接，所述三极管Q2的基极连接有控制信号输入端口P2；当 P2 输入为高电平或是低电平时MOS管是截至状态，可控硅M1处于断开状态，此时无输出电压。

2.根据权利要求1所述的一种高可靠隔离式高压开关电路，其特征在于：所述三极管Q1通过一上拉电阻R15连接至MOS管的D极。

3.根据权利要求1所述的一种高可靠隔离式高压开关电路，其特征在于：所述控制信号输入端口P1与三极管Q1的基极之间依次连接有电容C1、二极管D2和电阻R2，并且所述电容C1与三极管Q1的发射极之间接有二极管D1，二极管D2与三极管Q1的发射极之间依次并接有电容C2和电阻R1，所述积分电路由电容C1、电容C2和电阻R1组成。

4.根据权利要求1所述的一种高可靠隔离式高压开关电路，其特征在于：所述控制信号输入端口P2与三极管Q2之间连接有电阻R4，并且所述三极管Q2基极与发射极之间接有电阻R5。

5.根据权利要求1所述的一种高可靠隔离式高压开关电路，其特征在于：所述双向可控硅M1的G极与T1极之间接有电阻R8，并且双向可控硅M1的G极连接至光耦U1的4号引脚，所述光耦U1的6号引脚连接至双向可控硅M1的T2引脚，并且光耦U1的6号引脚与双向可控硅M1的T2引脚之间依次连接有电阻R6和电阻R7，并且所述可控硅M1的T1引脚通过一电容C3连接至电阻R6一端。

6.根据权利要求1所述的一种高可靠隔离式高压开关电路，其特征在于：还包括电流输入端口，所述主电路包括接在电阻R7与受控负载一侧的L2端、接在电流输入端端口的L1端、以及接在受控负载另一侧的N端，并且所述负载另一侧与电流输入端口连接。