[发明专利]一种高可靠隔离式高压开关电路

说明书

本发明公开了一种高可靠隔离式高压开关电路，旨在提供一种应用在高压输入到高压输出方产品中，采用小信号控制高压器件，结构简单，安全可靠，产品应用广泛，高压除雾，照明领域，加热风扇，电机等的隔离式高压开关电路，其技术方案要点是包括：所述高压控制单元包括光耦U1和双向可控硅控制电路，所述双向可控硅控制电路包括G极接在光耦受控侧双向可控硅M1，所述积分电路的输入侧连接有控制信号输入端口P1，所述供电控制单元包括MOS管，所述MOS管的G极连接至三极管Q1的集电极，D极连接至电源VCC，S极与光耦U1的1号引脚之间接有电阻R3，S极与所述三极管Q1的发射极之间连接有电阻R12，本发明适用开关电路技术领域。

技术领域

本发明涉及开关电路技术领域，更确切地说涉及一种高可靠隔离式高压开关电路。

背景技术

目前来看所有输出控制信号基本上都是采用单片机输出的形式给到控制单元，此应用中的核心解决了，当控制信号出现异常或死机跑飞的状况下，导致控制失效，如果负载不能及时切断输出，那么可能会造成后端的严重后果，会造成财产及人员的伤亡，我就是考虑到这一点为了避免发生重大的财产及人员伤亡的情况下，我们在电路上来做一个自动死机或跑飞的控制电路来加以避免。

发明内容

针对现有技术的不足和缺陷，提供一种应用在高压输入到高压输出方产品中，采用小信号控制高压器件，结构简单，安全可靠，产品应用广泛，高压除雾，照明领域，加热风扇，电机等的隔离式高压开关电路。

为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案。

一种高可靠隔离式高压开关电路，包括：

所述高压控制单元包括光耦U1和双向可控硅控制电路，所述双向可控硅控制电路包括G极接在光耦U1受控侧的双向可控硅M1，所述双向可控硅T1极和T2极接受控负载主电路，当光耦U1的导通驱动双向可控硅M1带载输出，当光耦U1的截止驱动双向可控硅M1关断负载；

所述光耦U1的1号引脚连接有第一信号处理单元及供电控制单元电连接，所述第一信号处理单元包括积分电路，所述积分电路的输入侧连接有控制信号输入端口P1，所述积分电路的输出侧与一三极管Q1的基极连接，所述供电控制单元包括MOS管，所述MOS管的G极连接至三极管Q1的集电极，D极连接至电源VCC，S极与光耦U1的1号引脚之间接有电阻R3，S极与所述三极管Q1的发射极之间连接有电阻R12，当端口P1输入为直流电平时，MOS管关闭；

所述光耦U1的2号引脚连接有第二信号处理单元，所述第二信号处理单元包括三极管Q2，所述三极管Q2的集电极与光耦U1的2号引脚连接，所述三极管Q2的基极连接有控制信号输入端口P2；当 P2 输入为高电平或是低电平时 MOS管是截至状态，可控硅M1处于断开状态，此时无输出电压。

采用以上结构后，本发明的一种高可靠隔离式高压开关电路，与现有技术相比，具有以下优点：只要控制信号输入端口P1输入的是正常工作的方波型号时，MOS管能把 VCC的电源电压输出给光耦，继而光耦工作正常能控制双向可控硅 M1 的带载输出，只有当控制信号输入端口P2 输入为高电平或是低电平时 MOS管是截至不导通状态，此时的可控硅不受 P2 信号的影响，输出是断开状态，输出是无输出电压.从而达到安全作用；应用在高压输入到高压输出方产品中，采用小信号控制高压器件，结构简单，安全可靠，产品应用广泛，高压除雾，照明领域，加热风扇，电机等。

作为本发明的一种改进，所述三极管Q1通过一上拉电阻R15连接至MOS管的D极。电阻R15 为三极管Q1的上拉电阻，主要目的是为了给三极管Q1管一个导通条件，只有三极管Q1导通，才能控制MOS管的导通，从而实现VCC电源到电阻R3和光耦U1上的电压工作。